Power MOSFET(金氧半场效晶体管)随着车用电子化、新能源车、工业4.0趋势，国际IDM龙头已经全力抢进大电流、高功率MOSFET市场。尽管台系功率元件厂商多以PC、消费电子产品用产品为大宗，2017年下半以降，也大幅受惠国际大厂淡出一般中低功率MOSFET市场之转单效应，迎来缺货、涨价的营运利多。然而，中长期而言，包括二线晶圆代工、设计、甚至后段封测厂商，已经不能忽视中高功率元件市场商机，如何在有竞争力的成本效益之下，降低阻抗、提升性能表现，成为台系功率半导体相关厂商抢进工控、甚至更高端的车用相关元件领域重大课题。
熟悉功率元件厂商坦言，相关厂商可以使用性能表现相当诱人的化合物半导体如碳化硅(SiC)制程，但是成本与价格将是最大考验。另一方面，在不改动芯片设计与封装的前提下，介于晶圆代工与后段封装之间的「中段」晶圆薄化制程，未来将是功率元件供应链中相当重要且具有成长潜力的一环。
事实上，功率元件厂商表示，举凡各类分离式元件如二极管或是MOSFET等元件，甚至近年来备受重视的绝缘闸双极晶体管(IGBT)，大约都可以分成三种等级，首先最大宗应用就是一般消费电子用的中低功率元件，其次为工业控制领域，而必须因应最严苛环境考验、又需要大电流、高功率部分元件，就是车用、甚至交通建设如地铁、高铁系统用的高功率产品。
而值得注意的是，举凡国际大厂或是台系厂商，泰半都承认SiC元件如SiC萧特基、SiC MOSFET、SiC功率模块相当优异的性能表现，如欧系的英飞凌(Infineon)、日系罗姆(Rohm)等等知名IDM厂，已经在SiC元件领域打下一片天，台系厂商中，在设计与制造端，则有瀚薪、汉磊等厂商跨入，瀚薪已经是全球前五大的SiC元件供应商。
宽能隙特性是SiC等化合物半导体元件最关键的竞争优势，可以有效在相对较小的体积下，降低导通阻抗，由于硅元件的导通阻抗在面对温度变化的环境时，导通阻抗的上升也将随着温度增加而提高，SiC元件在现行元件需求走向更轻薄短小、力求更好的能耗趋势下，加上车用产品必须因应剧烈的外在环境变化，SiC性能优势显而易见。
然而，台系二极管厂商与国际IDM厂也透露，碳化硅元件价格至少是传统硅元件8~10倍以上的差距，进一步影响下游客户的导入意愿，而如果客户导入意愿不高，也回过头来使得第三代半导体材料的普及率大打折扣。对于台系厂商来说，除了技术良率必须积极追赶上国际大厂外，在成本竞争力上，要采用碳化硅抑或氮化镓(GaN)等第三代半导体材料，尚有一段路要走。
有鉴于此，台系功率半导体厂商认为，未来数年内，传统硅元件ˋ之中段晶圆薄化代工服务的重要性将会大幅提升，目前既有厂商包括升阳半导体，以及酝酿多时投资新厂房、设备、产能的宜特科技等。主系对于前段芯片设计、晶圆代工或是专业委外封测(OSAT)厂来说，能否够有不变动原有的硅制程、设计与封装的解决方案，将随着产业趋势的发展更趋重要。
相关厂商表示，如国际龙头IDM厂包括英飞凌、东芝(Toshiba)、安森美(On-Semi)等，各自都有其在功率MOSFET硅制程、设计端的独门技术，又或者在封装端透过夹焊(Clip Bond)、扩散接合(Diffusion Solder)，藉由使用铜夹(Clip)加大电流路径取代金线(Gold wire)，降低导线电阻，以及利用在异质金属间形成介金属化合物，来使得金属间阻抗降低。若需要在不更动设计或封装制程的前提下，中段的晶圆减薄制程，成为硅功率元件厂商能够有机会达到高效率电力转换、低功率耗损目标的方式之一。
熟悉功率元件厂商表示，当然，一线IDM厂仍会将毛利最好的产品自制，不过，委外代工已经是IDM厂多年以来趋势，由于全球政府对于环保节能的政策要求日益严格，新能源车的加速推广已经是大势所趋，加上车用电子化的脚步未曾停歇，全球供应体系也正在寻找继智能型手机之后的蓝海市场，功率半导体需求将持续看增。
熟悉功率元件厂商坦言，台系晶圆薄化代工厂商如升阳半、宜特等，事实上正站在关键领域，据了解，升阳半已经积极争取欧系IDM龙头车用MOSFET薄化代工大单，车用中高功率MOSFET也是晶圆代工厂商如茂硅、世界先进、汉磊等认为台厂最有机会卡位的元件之一，后进的宜特在大力投入资源的中长线策略下，晶圆薄化良率已经来到99.5%水平。
熟悉相关制程厂商表示，由于薄化后的晶圆厚度已经可来到50微米(um)，未来甚至更可能挑战仅25um，如何避免翘曲、降低运送往后段封装厂途中造成的破片等影响，也考验相关厂商的技术、良率、与整合服务能力。而对于台系功率元件相关如二极管、MOSFET芯片、晶圆代工甚至后段封测厂商来说，短期内自行发展第三代半导体材料元件至大量生产到足以支撑市场，确实是充满挑战，进一步寻求在硅元件的基础下，与晶圆薄化代工服务厂商的合作，则成为一个重要的选项。
