2026年第三季度，芯粤能半导体正式推出第二代沟槽栅SiC MOSFET工艺平台（下称T2平台），相较第一代沟槽栅平台，T2平台比导通电阻降低约40%、核心性能提升20%以上的代际跨越，将这条路径从“理论最优”铺展为“量产现实”，可广泛覆盖新能源汽车主驱、光伏储能、直流充电模块、IPM、电机驱动、电源等核心场景，助力客户打造高效、小型化、高可靠的功率系统。
少有人走通的必由之路
相比平面栅，沟槽栅SiC MOSFET具有突出的性能优势。平面栅SiC MOSFET受JFET区电阻与沟道迁移率偏低双重约束，导通电阻逼近物理极限，系统极致能效诉求难以进一步释放。而沟槽栅将栅极垂直嵌入芯片内部，让沟道切换至迁移率更优的晶面，从底层重构器件结构，消除JFET电阻、提升元胞密度，从器件物理层面彻底打开性能提升空间。
但在通往量产的路上，沟槽栅也面临着一系列行业级难题：沟槽拐角电场高度集中，极易造成栅氧可靠性劣化；阈值电压稳定性、短路耐受能力与高元胞密度之间的矛盾难以平衡。性能跃升与可靠性底线，正是实现沟槽栅器件工程化的核心关键。这也解释了为何全球范围内，真正能将沟槽栅SiC MOSFET技术推向规模量产阶段的厂商屈指可数，因此对加速切入高端应用的中国碳化硅产业而言，这道门槛，必须有人率先迈过去。
三年磨一剑，从追赶到比肩
作为国内少数率先布局沟槽栅的厂商之一，2023年下半年，芯粤能正式启动沟槽栅MOSFET工艺平台开发，确立了完全自主知识产权的技术路线。
2025年1月，第一代沟槽栅MOSFET工艺平台研发落地，实现从概念验证走向工程化。该平台零失效完成1500小时HTGB、HTRB、HV-H3TRB可靠性考核，在高温栅偏、高温反偏等严苛应力条件下器件参数稳定，验证了芯粤能对SiC沟槽栅技术可靠性的驾驭能力。
2025年，研发团队在第一代平台基础上迭代优化，累计完成8次工艺迭代、2次器件平台升级。2025年12月，1200V T2平台良率突破96%，比导通电阻1.80mΩ·cm²，阈值电压超4V，性能对标国际头部厂商同代沟槽栅产品。
2026年，经过多轮工程批验证、工艺稳定性测试与客户送样认证，T2平台于第三季度正式实现量产。对比第一代沟槽栅平台，核心性能提升20%以上，比导通电阻下降约40%的成绩，标志着芯粤能完成从技术追赶到跻身行业第一梯队的关键跨越。
三大核心优势，打造均衡领先的技术底座
芯粤能T2平台全面平衡了电性能、鲁棒性与可靠性，整体指标已处于国内外第一梯队，核心优势主要体现在三个方面：
极致能效，全场景适配。基于T2平台的750V 器件，比导通电阻（Ron,sp）低至1.0mΩ·cm²，同时仍保持4V以上阈值电压（Vth），具备优异抗串扰能力，并支持0V关断；导通损耗与开关损耗同步下降，可适配更高开关频率，有效提升系统功率密度。
强短路耐受能力。基于T2 平台的750V SiC MOSFET器件在应用端实测短路耐受时间达5μs，能显著提升电机驱动、工业电源等场景下的系统容错能力与运行稳定性。
AEC-Q101车规可靠性认证。T2平台在开发阶段就将可靠性作为内生属性，已满足并超越AEC-Q101全部要求，保障器件在全工况、全生命周期内的稳定运行。
商业化提速：超两千万颗订单，规模化放量在即
凭借T2平台优异的性能表现与成熟的工艺稳定性，该平台系列化产品已获得市场高度认可。截至2026年8月，芯粤能已收获超2000万颗T2平台系列SiC MOSFET芯片订单，标志着芯粤能新一代沟槽型SiC技术已进入大规模商业化落地阶段。
此外，多家客户也在积极与芯粤能同步开启深度定制合作，为碳化硅在多场景和高能效应用中打造更优性价比。
产业多重利好亦在共振：AI数据中心建设带动供电系统升级，800V/900V高压新能源汽车渗透率持续走高，全球光伏储能装机规模不断扩张，多重因素叠加拉动碳化硅芯片需求释放。芯粤能董事长肖国伟日前介绍，公司2026上半年整体订单规模达到2025全年两倍以上，伴随着T2平台量产落地，下半年产线利用率稳步抬升。
结语
从2023年预研立项到2026年T2平台实现量产，芯粤能耗时三年完成沟槽栅技术代际突破。这得益于企业“量产一代、储备一代、预研N代”的研发迭代体系，也是国产碳化硅从跟跑迈向并跑的缩影。芯粤能T2平台的成功量产，是芯粤能交出的产业答卷，也助力更多新能源终端用上高可靠国产碳化硅“中国芯”。
