中微公司董事长尹志尧，1日在公司成立22周年庆典上表示，要在未来五年内至少覆盖60%的半导体高端设备，成为全球覆盖率最高的半导体设备公司，到2035年在规模、产品竞争力上成为全球第一梯队的半导体设备公司。
这一长远构想并非首次提出。在今年4月1日举办的2025年度业绩说明会上，尹志尧就披露过相似布局。
他指出，到目前为止，公司已经有37种成熟的设备在大生产线实现量产，而且有批量的订货。希望到2035年，公司同时在规模、产品竞争力、客户满意度方面，成为全球第一梯队的半导体设备公司。
尹志尧还表示，公司在五年左右时间将覆盖60%以上的集成电路高端关键设备和70%以上的先进封装设备，成为集成电路设备的平台型公司。
能够定下跨越式发展目标，依托的是中微成熟的刻蚀产品体系。
据尹志尧介绍，中微公司开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀两大类，包括20多种细分刻蚀设备，已被广泛应用于国内和国际一线客户，可覆盖从65纳米到3纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用。
截至2025年底，公司刻蚀设备反应台全球出货量超过6800台，市占率持续稳步提升。
值得一提的是，中微公司最新披露的年报显示，中微公司2025年营收人民币123亿元，年增36%，经营业绩创下历史新高；净利润人民币21亿元，较上年增加约人民币4亿元，年增30%。
研发方面，中微公司2025年研发投入人民币37亿元，占年销售额的比例达到30%，开发项目涵盖六大类，超过20款新设备。
