日前美光科技宣布将美国新建工厂的长期投资计划从2000亿美元追加至2500亿美元（约合1.7万亿元人民币），以满足AI基础设施扩张带来的“前所未有”的存储芯片需求。追加的500亿美元将覆盖纽约州、爱达荷州和弗吉尼亚州的扩产项目，该支出计划将持续至2035年。
同时，美光承诺投入30亿美元用于强化国内半导体供应链，其中向中国台湾硅晶圆供应商环球晶圆（GlobalWafers）提供5亿美元战略融资，并签署为期10年的硅晶圆长期供货协议，以确保关键原材料产能。美光高级副总裁表示，此举旨在加强供应保障并支持美国制造生态。
受消息提振，美光股价盘前上涨6.5%。
在产能落地方面，美光位于纽约州克莱市的工厂提前超一个季度完成首次混凝土浇筑，正式进入垂直施工阶段。董事长兼CEO桑杰·梅赫罗特拉主持仪式，美国商务部长卢特尼克、纽约州州长霍楚尔等政要出席。美光预计，到2035年这笔投资将助力实现美国本土生产40% DRAM的长期目标。
存储行业扩产竞赛持续升温。此前三星电子和SK海力士已公布合计高达8800亿美元的共同投资计划。自《芯片与科学法案》通过以来，美光、英特尔、台积电等均为主要受益方。美光表示，此次加码彰显对技术领先地位的信心，并将创造大量高薪就业岗位。
