由于人工智能（AI）投资的增加推高了存储器价格，预计今年第二季度全球存储器半导体市场规模将接近350万亿韩元（约合2692.3亿美元）。DRAM和NAND闪存价格均上涨超过50%，三星电子和SK海力士的盈利预计也将创下历史新高。但观察显示，受长期协议（LTA）扩大和价格压力的影响，明年下半年增速将有所放缓。
根据市场研究公司 Counterpoint Research 于发布的《内存追踪报告》，今年第二季度全球内存市场规模预计将达到约 350 万亿韩元，比上一季度增长超过 60%，比去年同期增长 380%。
此次市场扩张主要受内存价格飙升的推动。Counterpoint Research 分析显示，第二季度 DRAM 和 NAND 闪存的价格均较上一季度上涨超过 50%。其原因是，随着人工智能数据中心投资的持续增长和 HBM 供应短缺，通用内存价格也同步上涨，从而显著扩大了市场规模。
主要存储器公司的盈利预计也将反映出市场增长趋势。美光科技近期公布了财报，其第三财季（3月至5月）营收达414.6亿美元（约合64万亿韩元，约合492.3亿美元），较上一季度增长74%，较去年同期增长346%。其营业利润率也接近85%。
三星电子和SK海力士的财报发布时间均早于预期，预计两家公司业绩将远超预期。Counterpoint Research预测，三星电子的存储器业务营收将首次突破110万亿韩元（约合846.2亿美元），并预计SK海力士也将凭借其以HBM为核心的产品竞争力，继续保持高速增长势头。
然而，报告解释说，由于会计处理方法不同，例如长期协议（LTA）的签署时间和绩效奖金条款等，各公司的业绩可能会有所差异。尽管如此，报告分析认为，受人工智能投资增加推动的内存需求和价格上涨趋势在短期内仍将持续。
不过，Counterpoint Research预测，当前快速增长的趋势难以长期持续。这是因为存储器价格上涨导致成品制造成本和消费价格上涨，在一定程度上抑制了需求，而且长期合约扩张带来的价格固定效应也开始显现。
Counterpoint Research预测，“由于存储器价格上涨导致制造成本上升，最终产品的需求有所下降”，并补充道，“加上长期协议扩大带来的价格稳定效应，存储器市场增速有可能从明年下半年开始逐渐放缓。”
