美国时间5月18日，在全球半导体表面制备与清洗领域一流的行业盛会——SPCC 2026（Surface Preparation and Cleaning Conference）上，盛美半导体资深专家Deepak Kumar介绍了公司的独特的高温SPM工艺，是单片高温硫酸清洗自进入市场十几年来所出现的一个重大技术突破。
盛美此次公布的技术提升核心在于：高温SPM方案在15nm颗粒标准下，控制水平可低至15颗以内，显著优于市场主流方案。与市场主流方案需要定期通过DI水清洗腔体及周边环境，去除清洗腔及外围环境高温SPM气体残留物的方案不同，盛美独特的喷嘴设计（全球专利申请保护中）可有效避免相关污染问题，无需周期性DI水清洗即可实现稳定的清洗效果。这不仅有助于提升逻辑及存储客户产品良率，还可以通过免去外部腔体清洁，显著降低设备的维护需求。公司也已规划了进一步的性能提升路线，目标将颗粒尺寸进一步降低至13nm，以应对未来全球更先进工艺的需求。
这一技术性能的跨越式提升，将为GAA逻辑器件以及DRAM/HBM器件的良率提升带来重要支持。芯片制程迈入GAA架构后，结构愈发精密，清洗工艺需精准除残且无损纳米级架构，对颗粒控制标准极高，盛美高温SPM技术升级后足以满足该严苛工艺需求。在存储领域，DRAM进入FinFET结构工艺易因颗粒缺陷影响良率，而盛美独特喷嘴设计实现的颗粒控制能力飞跃，预计有力提升DRAM的量产良率，同时增加HBM产量，产业价值与应用前景可期。
SPCC是业界公认的专注于半导体清洗和制备技术的全球一流的技术论坛，每年汇聚国际巨头企业与顶尖科研机构参会。盛美此次在国际顶级舞台上公布这一关键技术升级，彰显了公司在全球半导体清洗领域的技术创新实力与行业影响力，得到与会学者，客户，以及设备同行的一致好评。
此次盛美重磅升级的高温SPM清洗技术，对全球先进工艺大晶粒AI芯片产业发展有重要意义。立足AI产业高速发展浪潮，盛美将持续秉持“差异化创新”战略，聚力突破行业技术壁垒、致力于领跑先进工艺前沿发展，打造高端半导体工艺制造的核心IP护城河，有效根除行业内卷，赋能全球AI产业创新升级与先进算力生态构建。
