据报道，三星电子已启动公开招标，清理韩国（37台）和中国西安（86台）半导体工厂共123台闲置旧设备，以精简NAND Flash业务流程，加速向200层以上NAND Flash转型。此次出售的设备以90-65纳米成熟制程设备为主，含部分8英寸晶圆设备，涵盖存储晶圆制造全流程通用设备，包括金属薄膜成型、沉积、蚀刻等核心工具，而非特定工艺专用设备。
此次设备清理的核心背景是三星西安工厂NAND Flash产线升级。此前消息显示，星已停止西安128层（V6）生产线，集中量产236层（V8）NAND，并计划2026年前推出286层（V9）生产线，未来还将布局400层以上产品。这被解读为应对竞争对手、强化技术优势的举措，因为西安工厂是三星唯一海外存储芯片生产基地，而且承担其全球约40%的NAND Flash产能。
业内人士表示，当前存储器行业正通过重组兼顾产品进步与运营效率，各企业均在灵活调整生产策略适配市场。
此外，值得注意的是，三星首条8英寸氮化镓（GaN）晶圆生产线预计2026年二季度量产，初期收入预计低于1000亿韩元。据报道，目前三星已构建除芯片设计外的完整GaN解决方案生态，具备独立生产GaN外延晶圆的能力。
同时，三星计划今年内启动碳化硅（SiC）功率半导体代工线运营，其在该领域具备端到端能力，能够在不同电压范围内补充氮化镓技术，可与GaN技术形成互补。此前报道还披露，三星已投资1000亿至2000亿韩元购置先进工艺设备，包括Aixtron的MOCVD系统，以支撑硅镓和氮化镓晶圆加工。
