钜亨网援引韩媒报道称，为如期在2022 年量产 3 纳米芯片，三星将在美国德州奥斯汀的半导体子公司启动EUV专用系统 LSI 新厂投资计划。据悉，此项投资高达 100 亿美元，月产能约 7 万片。
韩媒infostockdaily报道，相关行业人士表示，三星在奥斯汀的新厂已确认将生产非内存半导体 (Non-memory Semiconductor) 和系统 LSI。
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此前业界就已传出，三星电子正计划在韩国华城、平泽以及美国德州奥斯汀等地建立 EUV 生产体系，作为 7 纳米以下芯片的生产基地。
同时根据韩媒披露，三星副会长李在镕上个月亲访荷兰ASML总部，实地了解了EUV 设备生产情况，并希望提前交付预定的 EUV 生产设备。
不过韩媒在最新的报道中，并未提到三星目前美国工厂的进展，包括是否已经通过美国政府的审查或已进入最终阶段。（校对/Aki）
