近日，由纳芯微牵头制定的PN 结半导体温度传感器国家标准正式发布。该标准围绕器件定义、关键性能指标及测试方法建立统一技术框架，为高精度、高可靠测温应用提供了明确、可执行的技术依据。
PN 结温度传感器利用半导体 PN 结电压随温度变化的物理特性进行测量，可直接实现芯片级或功率器件内部的快速、精确温度感知，尤其适用于结温级测量。在精度、一致性与线性度等方面，相较传统 NTC 热敏电阻具备明显优势，已逐步成为高可靠测温场景的重要技术路线。
随着新能源汽车、泛能源及高端电子系统对温度感知精度和可靠性要求持续提升，PN 结温度传感器的应用持续扩大。但在器件性能表征与测试方法方面，行业长期缺乏统一标准。此次国家标准的发布，有助于提升不同产品方案之间的可比性，降低系统设计与应用成本，推动产业链上下游协同发展。
作为深耕传感器领域的半导体企业，纳芯微在 PN 结温度传感器的产品研发、测试方法及规模化应用方面积累了丰富实践经验。基于在多个行业的长期应用实践，纳芯微联合产业链相关单位，围绕关键性能指标、测试条件与一致性要求，推动形成具备工程可落地性的国家标准。
围绕 PN 结半导体测温技术，纳芯微已形成覆盖多行业、多精度等级的温度传感器产品组合，满足从高可靠工业系统到精密人体测温的多样化需求：
汽车领域
NST175H-Q1：面向智驾与座舱等相关应用，兼具高精度与高可靠性
NST235-Q1 / NST86-Q1：适用于整车热管理与车载电子系统的车规级温度感知需求
泛能源领域
NST175 / NST112 / NST5111：面向数据中心、电源系统及通信设备等高可靠应用，具备优异的一致性与长期运行稳定性，适用于系统级与器件级温控管理
NST117 / NST1075 / NST461 / NST1413 / NST235 / NST20：覆盖不同接口、封装与精度配置，适配多样化工业与泛能源系统架构
可穿戴与医疗领域
NST112x：最高可实现 ±0.1 ℃ 测量精度，兼顾精度、功耗与封装尺寸，适用于人体测温及可穿戴设备
NST1001 / NST1002：面向医疗及消费级高精度测温场景的小型化解决方案
在产品能力层面，纳芯微基于 PN 结测温原理的 CMOS 温度传感器，在接口形式、封装选择及精度配置方面提供灵活组合，便于客户在不同系统架构与应用场景中快速集成，满足从消费级到高可靠应用的多层次需求。
注：该标准为 GB/T 20521.5-2025《半导体器件 第14-5部分：半导体传感器 PN 结半导体温度传感器》，由工业和信息化部（电子）主管、全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC 78）归口管理，标准已于2025年12月2日正式发布，将于 2026 年 7 月 正式实施。
