据报道，三星第七代高带宽内存（HBM）HBM4E的研发流程已进入基片后端设计阶段。这意味着该芯片的研发流程已过半。
HBM芯片的基片位于模块底部，通过管理数据读写速度以及对上方堆叠的DRAM进行纠错，决定了整个芯片的性能和稳定性。
如今，HBM的客户要求内存制造商在基片上添加逻辑功能。
在研发的后端阶段，基片的物理电路将被定位和连接，此前，寄存器传输级逻辑电路的设计已在第一阶段完成。后端阶段完成后，最终的设计数据将被发送给代工厂芯片制造商，以准备进行流片。
三星近期制定了新的HBM开发路线图，并已通知供应商，要求他们在3月前提交供货计划。这份新路线图涵盖了HBM4、HBM4E和HBM5的开发和生产计划。总体而言，三星正在定制这些芯片以满足客户需求，并加快其商业化进程。
自HBM4开发启动以来，三星一直运营着两个HBM开发团队，一个负责开发标准HBM，另一个负责开发定制HBM。客户HBM团队负责为谷歌、Meta和英伟达等公司设计产品。消息人士称，该团队近期新增了250名员工。HBM4E预计将于2027年发布，HBM5预计将于2029年发布。
消息人士称，HBM4及之前的HBM芯片更接近通用芯片，但HBM4E和HBM5之后的芯片将需要更多定制化设计以满足每个客户的特定需求。他们表示，在后期阶段，与代工芯片制造商合作进行基础芯片逻辑设计变得愈发重要。（校对/张杰）
