三星电子已向英伟达提供了下一代DRAM模块SOCAMM第二代样品，该产品将应用于英伟达的下一代人工智能（AI）芯片Vera Rubin。为了在被称为“第二HBM”的SOCAMM市场上保持领先地位，三星电子计划及时建立批量生产体系。
SOCAMM是小型压缩附加内存模块的缩写，是一种紧凑型高性能内存模块，专为AI服务器优化。该模块结合了LPDDR5X内存的高带宽和高能效，并采用模块化插槽式设计。
12月18日，三星电子宣布：“我们已开发出基于LPDDR的服务器内存模块SOCAM2，专为AI数据中心设计，目前正在向客户提供样品。”
此处提及的客户指的是英伟达。英伟达高性能计算和人工智能基础设施解决方案总经理Dion Harris表示：“通过与三星电子持续的技术合作，我们正在不断优化下一代内存，使其能够实现人工智能基础设施所需的高响应速度和高效率。”此举正式确认了两家公司的合作。
SOCAMM是一种基于LPDDR DRAM的可拆卸DRAM模块，英伟达正在独立推动该标准，以期在人工智能内存半导体市场占据主导地位。由于它采用低功耗的LPDDR5X DRAM，而非基于DDR的服务器模块，因此与现有RDIMM相比，其带宽提升超过两倍，功耗降低超过55%。与上一代SOCAMM1相比，速度也提升了20%以上。（校对/李梅）
