随着第三代半导体材料碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在新能源汽车、数据中心、消费电子等领域的广泛应用，国内相关上市公司在产业链中的运作模式呈现多元化发展趋势。本文基于九家A股/港股上市公司公开资料，系统梳理其在碳化硅与氮化镓领域的业务布局与运作模式，以供参考。
主流运作：IDM模式主导核心竞争
IDM模式（垂直整合制造）覆盖芯片设计、晶圆制造、封装测试全产业链，能实现技术协同与品质可控，成为头部企业的首选模式，8家公司均以IDM模式为核心运作基础。
其中，华润微拥有芯片设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试全产业链能力，SiC和GaN器件聚焦新能源汽车、充电桩、数据中心等领域。SiC JBS G3和SiC MOS G2已实现产品系列化量产，车规级SiC MOS和模块完成头部客户测试认证，12英寸先进工艺平台为产品迭代提供支撑。
闻泰科技（安世半导体）是全球领先的IDM龙头，SiC和GaN产品覆盖汽车、工业、消费电子等场景。1200V车规级SiC MOSFET实现国内外客户量产出货，650V高压GaN HEMT技术应用于新能源汽车逆变器，汉堡工厂和上海临港12英寸晶圆厂构建全球产能布局。
士兰微坚持IDM模式深耕三代半，士兰明镓形成月产10,000片6英寸SiC MOSFET芯片产能，士兰集宏8英寸SiC产线预计2025年四季度通线。SiC器件已应用于新能源汽车主电机驱动，8英寸硅基GaN产线通线并推进车规级产品落地。
英诺赛科是全球首家大规模量产8英寸晶圆的GaN IDM企业，电压覆盖15V-1200V全谱系产品。1200V GaN产品实现工业领域大规模量产，车规级芯片在激光雷达、OBC场景交付增长128%，人形机器人领域全球首次实现GaN芯片量产出货。
三安光电构建SiC全产业链布局，涵盖晶体生长、衬底制备、外延生长、芯片制程。湖南三安拥有6英寸SiC配套产能1.6万片/月，8英寸衬底及外延实现小规模量产，产品供应新能源汽车、光伏储能等头部客户，与意法半导体合资的8英寸SiC项目加速推进。
捷捷微电以IDM模式为主，SiC肖特基二极管实现塑封器件量产，应用于电动汽车、新能源等领域。芯片设计、制造及封装测试自主完成，部分产品通过委外流片补充产能，保障市场供应灵活性。
芯联集成在IDM模式下聚焦SiC MOSFET芯片及模组，国内首条8英寸SiC产线实现批量量产，工艺平台覆盖650V-3300V系列，产品在新能源汽车、光伏逆变等领域批量交付，车规功率模块收入增长超200%。
九家A股/港股上市公司IDM、Fabless运作模式统计
IDM+Fabless混合：灵活平衡产能与研发
扬杰科技采用“IDM为主+Fabless为辅”模式，在SiC等高端领域结合两种模式优势。自主建设6英寸SiC芯片产线并实现量产爬坡，同时与中芯绍兴、积塔半导体等代工厂合作保障产能。SiC MOS产品覆盖650V-1700V系列，车规级模块完成多家客户送样验证。
斯达半导由Fabless向IDM转型，采用“Fabless+IDM双轮驱动”模式。芯片主要委托华虹半导体等代工厂生产，同时自建6英寸SiC芯片产线，形成年产6万片车规级SiC MOSFET芯片能力。SiC模块在新能源汽车、光储等领域批量交付，第二代SiC MOSFET芯片覆盖多电压等级。
运作模式核心差异与行业适配性
IDM模式适配头部企业，凭借全产业链掌控力实现技术迭代与品质管控，满足车规级、工业级等高可靠性需求，但需承担高额产能投入与工艺研发成本，适合资金实力雄厚、技术积累深厚的企业，如闻泰科技、三安光电等。
混合模式与转型模式则平衡灵活性与自主性，Fabless阶段可聚焦芯片设计研发，快速响应市场需求；IDM转型后逐步掌握核心工艺，降低对代工厂依赖，适配中等规模企业突破高端市场，如扬杰科技、斯达半导。
纯IDM企业优势在于技术协同与成本控制，如英诺赛科3.0代工艺平台提升晶圆产出30%以上，良率超95%；华润微通过IDM模式实现产品快速迭代，SiC器件性能对标国际一流水平。
混合模式企业凭借供应链协同拓展市场，扬杰科技“YJ+MCC”双品牌布局国内外市场，依托代工厂产能快速响应海外需求；斯达半导则通过自主产线与代工结合，快速切入800V新能源汽车高压平台。
行业趋势与模式演进方向
当前国内三代半行业呈现“IDM为主流，混合模式为补充”的格局，随着新能源汽车、AI数据中心等需求爆发，企业加速产能扩张与工艺升级：IDM企业持续加码12英寸SiC/GaN产线，如闻泰科技临港12英寸晶圆厂、三安光电8英寸SiC项目；混合模式企业逐步提升自主产能占比，减少对外部代工依赖；转型企业则通过自建产线突破车规级认证瓶颈，实现规模化量产。未来，技术研发实力、产能规模与供应链稳定性将成为模式落地的核心支撑，推动行业向高质量发展迈进。
（校对/邓秋贤）
