西安奕材于12月3日公告，与光谷半导体产投签署协议，投资125亿元建设武汉硅材料基地项目。该项目选址武汉东湖高新区，专注于生产12英寸集成电路用硅片，规划产能为50万片/月。项目资本金总额85亿元，其中光谷半导体产投承担15亿元，西安奕材承担70亿元；剩余40亿元拟通过贷款解决。相关事项已获公司董事会审议通过，尚待股东会批准。
光谷半导体产投作为武汉光谷金控全资子公司，2024年净资产为7.94亿元，曾参与西安奕材战略配售。协议明确了双方出资节奏、股权结构（最终西安奕材持股82.35%）及光谷半导体产投的股权退出机制。同时，公告提示项目面临投资大、周期长及资金筹措等风险，西安奕材表示将积极防范。
为落实武汉硅材料基地项目，西安奕材同日公告，拟以5亿元自有资金新设子公司。具体方案为先设立武汉奕斯伟材料科技（注册资本5亿元，公司全资持股），再由其设立武汉奕斯伟硅片技术（注册资本5亿元，前者全资持股）。该事项已获董事会通过，尚待股东会审议。公告提示子公司设立及经营存在相关风险。
此外，西安奕材因首发上市完成，公告公司注册资本将由35亿元增至40.38亿元，公司类型由“其他股份有限公司（非上市）”变更为“股份有限公司（上市）”。相关议案已于12月1日经董事会审议通过。
本次事件基于西安奕材的战略扩张需求，旨在通过建设武汉硅材料基地项目，提升12英寸电子级硅片产能，满足电子通讯、新能源汽车等领域对存储芯片、逻辑芯片等产品的需求。
项目投资额大（125亿元）、周期长，可能带来资金筹措压力和市场风险；但若成功实施，将增强西安奕材在硅片领域的产能和市场竞争力，对公司长期发展构成积极支撑。投资者需关注项目进展及风险提示。
应对方案：西安奕材通过设立全资子公司（武汉奕斯伟材料科技及武汉奕斯伟硅片技术）落实项目，并承诺积极防范投资风险，确保项目稳健推进。公司将持续披露相关进展，保障信息透明。
