【减产】西部数据NAND Flash将减产15%;三星电子改进半导体存储器设计;英伟达黄仁勋结束中国行转往日本大阪

来源:爱集微 #集成电路动态#
3582

1.西部数据NAND Flash将减产15%;

2.三星电子改进半导体存储器设计;

3.英伟达黄仁勋结束中国行转往日本大阪;

4.日本将在7所大学建立半导体人才培养基地

1.西部数据NAND Flash将减产15%

据媒体报道,NAND Flash营收排名第五大厂商西部数据日前已通知客户,将减产15%,以缩减库存。

据了解,大部分原厂是私下向客户透露减产的想法,并与客户沟通,具体减产幅度并不明确。唯独西部数据已正式通知客户,将减产15%。

2.三星电子改进半导体存储器设计

韩国半导体业界近日透露,三星电子正在改进12纳米级动态随机存取存储器(DRAM)“D1b”的设计。

三星电子于2023年首次量产“D1b”,应用于显卡DRAM和手机DRAM上。此次改变已生产一年多的DRAM设计是半导体行业中罕见的案例。

专业人士表示,改变设计并不是一个容易的决定,制造工艺产生变化后,会提高成本,此举意味着公司有改进工艺和产品的紧迫意识。

三星电子已经在根据新的“D1b”设计修改生产工艺,于2024年底下达了紧急设备订单,升级了现有生产线,并进行了技术转移。考虑到设备建设和试运行的进度,新款“D1b”将于年内量产,预计最快第二季度或第三季度发布。

除改变“D1b”设计外,三星电子还启动了名为“D1b-p”的新开发项目,以增强DRAM竞争力。

3.英伟达黄仁勋结束中国行转往日本大阪

英伟达(NVIDIA)CEO黄仁勋结束中国行程,据陆媒报导,其所乘的私人飞机转往日本大阪,软银集团等日企正在日本本土加大AI基础设施投资。

黄仁勋过去几天到访中国深圳、北京、上海等地方,据第一财经报导,黄仁勋于22日离开上海,航班追踪网站FlightRader24行程纪录显示,黄仁勋所乘私人飞机22日中午左右飞往日本大阪;英伟达未对黄仁勋行程动态予以回应。

报导提到,黄仁勋到访中国时间点正逢美国总统特朗普(Donald Trump)宣布就职时,相关动态格外地受关注;黄仁勋转往日本大阪也不让人意外,日本在美国新一波芯片出口管制框架下受到豁免,软银集团等日企正在日本本土加大AI基础设施投资。

日本是英伟达近期重点发展市场之一,大阪为日本云端服务商聚集地。报导指出,去年11月英伟达于日本东京举办AI高峰会,黄仁勋与软银集团创始人兼执行长孙正义共同宣布,将合作在日本建设AI基础设施,包括投资日本最大AI工厂。

日本其他云端服务商也在争相使用英伟达芯片建设AI基础设施,例如软银竞争对手、总部位于大阪的樱花网路公司(Sakura Internet),其正加大采购英伟达芯片。樱花网路公司与英伟达有多年合作,该公司主要服务日本客户,包括国家研究机构、大学和企业。

报导指出,在黄仁勋结束中国行程的同时,美国宣布Stargate重大AI基础设施投资计划;孙正义也出席了Stargate发布会,软银集团是计划参与方之一,预计出资金额达美金190亿元(约新台币6,207亿元)。

4.日本将在7所大学建立半导体人才培养基地

据媒体报道,日本计划在7所大学设立半导体设计和生产的相关人才的培养基地。各地区的专业教师将参与选定的大学的教育项目,培养能够立即发挥作用的人才。

报道指出,为了在增长产业与世界竞争,日本将加快强化教育基础。作为基地的大学将在2025年度内通过公开招募来选拔。日本文部科学省为完善教育环境,将分别向7所学校提供每年近1亿日元的补贴。

日本电子信息技术产业协会(JEITA)预测称,今后10年内,日本将短缺4万多名半导体人才。

责编: 爱集微
来源:爱集微 #集成电路动态#
THE END

*此内容为集微网原创,著作权归集微网所有,爱集微,爱原创

关闭
加载

PDF 加载中...