据山西综改示范区1月3日消息，山西转型综改示范区入区企业山西烁科晶体有限公司于近日成功研制出12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，属全球首发。同期，还研制成功12英寸（300mm）N型碳化硅单晶衬底。
据介绍，山西烁科晶体有限公司是国内从事第三代半导体材料碳化硅生产和研发的企业。近年来，烁科晶体通过自主创新和自主研发，全面掌握了碳化硅生长装备制造、高纯碳化硅粉料制备工艺，在国内率先完成高纯半绝缘碳化硅单晶衬底关键工艺技术攻关，先后攻克了大尺寸扩径工艺和低缺陷N型衬底的生长工艺，拥有碳化硅粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线。此次12英寸碳化硅衬底的成功研制，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。
据悉，烁科晶体核心团队自2009年就致力于碳化硅材料研发，涵盖碳化硅生长设备制造、粉料合成、晶体生长及衬底加工等，先后突破高纯度碳化硅粉料合成技术、低缺陷大直径碳化硅单晶生长工艺技术及超平坦碳化硅衬底加工技术等核心技术难题。
未来，烁科晶体将继续聚焦大尺寸碳化硅单晶衬底的产业化技术，持续加大研发投入。
