芯联集成“半导体器件及其制备方法”专利公布

作者：爱集微 2024-12-29

来源：爱集微 #芯联集成#

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天眼查显示，芯联集成电路制造股份有限公司“半导体器件及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年11月15日，申请公布号为CN118969745A。

本申请实施例涉及一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：衬底；第一钝化层，位于衬底上，包括远离衬底的第一表面和靠近衬底的第二表面；凹槽，从第一表面向半导体器件的内部延伸，包括位于第一表面处的槽口和远离槽口的槽底；凸起结构，凸出于槽底且向凹槽内延伸；第二钝化层，位于第一钝化层上，第二钝化层的至少一部分填充在凹槽内，凸起结构插入第二钝化层内；如此，增强了第二钝化层的附着力，降低了第二钝化层剥离的风险。