在当今高密度集成的混合系统级封装领域，由于内部元器件之间的距离最小只有微米级，电磁干扰(EMI)和电磁兼容性(EMC)的挑战变得尤为突出。而传统金属屏蔽罩的方式往往需要占据电子设备内部的额外空间，难以满足电子元器件小型化、集成化的应用需求。那么甬矽电子是如何解决电磁兼容性问题的呢？
外部防护：共形电磁屏障技术
在封装外部，甬矽电子开发的共形电磁屏障技术，通过在成品芯片上表面和四个侧面通过磁控溅射方式溅镀5-10微米厚度的金属镀层，来实现电磁屏蔽。
内部隔离：SiP分区屏蔽技术
共形电磁屏蔽技术不会增加系统级封装尺寸，同时电磁屏蔽效果达到30dB以上（dB 是衡量电磁屏蔽效果的指标之一，数值越高代表屏蔽效果越好，30dB屏蔽能力能够覆盖手机等绝大部分消费类产品），显著提升了系统级封装产品的集成度和芯片性能。
在封装内部，甬矽电子提供三种分区屏蔽技术方案
1️⃣金属焊线+溅镀方案：以成本效益为先，实现基本的电磁隔离。
2️⃣金属体隔离墙+溅镀方案：提供高阻抗隔离，确保信号传输的纯净度。
3️⃣导电胶+溅镀方案：灵活的结构设计，满足产品快速迭代需求。
通过分区屏蔽技术方案，将不同功能的模块隔离开来，形成各自的“隔间”，从而解决内部器件之间的电磁兼容性问题。
共形屏蔽与分区屏蔽在芯片封装中相辅相成，就像是一座现代化的高楼大厦，共形屏蔽是大楼的外墙，遮蔽风雨，隔绝噪音；分区屏蔽则是大楼内部的墙壁，让不同房间内的人“各自安好”，互不打扰。这种多样化、高性能的电磁干扰屏蔽技术，简直安全感Max！
甬矽电子，始终将技术创新作为公司发展的核心动力。我们不断追求技术的突破，更致力于将这些创新转化为实际的解决方案，为客户提供高端技术，卓越品质，全面支持服务。
