1.传广汽集团即将换帅，冯兴亚接替曾庆洪出任董事长
2.北方华创：全新12英寸PECVD设备交付客户
3.雷军回应小米SU7 Ultra定价对标特斯拉：实际配置比Model S Plaid高
4.【IC风云榜候选企业38】新基讯：5G RedCap技术先锋，打造通信芯片新标杆
5.【IC风云榜候选企业39】瞻芯电子7周年，累计交付SiC MOSFET逾千万颗
1.传广汽集团即将换帅，冯兴亚接替曾庆洪出任董事长
近日市场消息称，广汽集团将迎来重大人事调整，冯兴亚将接替年龄到期退休的曾庆洪出任公司新董事长，广汽总经理一职人选将从一汽抽调。
资料显示，曾庆洪1961年7月出生，现任广州汽车集团股份有限公司党委书记、董事长，广州汽车工业集团有限公司党委书记、董事长，是国有汽车企业的最后一位“超龄”守门人。
冯兴亚1969年8月生，现任广州汽车集团股份有限公司党委副书记、董事、总经理、执行委员会主任，兼任广汽乘用车董事长、广汽埃安董事长。
近年来，由于合资品牌汽车电动化、智能化推进不利，甚至退出市场，自有品牌又停滞不前，导致广汽集团汽车销量、业绩持续走低，今年9月，广汽集团合计销售汽车182,626辆，同比大跌25.03%，今年前三季度合计销售汽车1,335,050辆，同比大跌25.59%。其中，广汽本田、广汽丰田今年前三季度销量分别为309,169辆、517,878辆，分别同比大跌29.06%、24.49%；自有品牌埃安前三季度销量为226,748辆，同比下跌35.4%。
业绩方面，广汽集团也出现了由盈转亏的局面，今年前三季度合计营收740.4亿元，同比下降24.18%，归母净利润为1.2亿元，同比暴跌97.34%，扣非净利为亏损18.7亿元，同比由盈转亏。其中，第三季度营收为282.33亿元，同比下降21.73%，归母净利润为亏损13.96亿元，同比由盈转亏；扣非净利润为亏损15.32亿元，同比由盈转亏。
根据同花顺可查数据（2005年至今），这是广汽集团2008年至今，首次在Q3出现业绩亏损的情况，从Q3及目前的投资情况看，广汽集团Q4大概率仍将亏损，该公司或录得19年来的首次年度亏损。
目前，广汽集团仍在谋求新的电动化、智能化出路，10月25日，广汽集团全票审议通过了《关于管理模式和组织机构改革的议案》。同意对自主品牌的管理模式由战略管控向经营管控转型，并同步实施相关组织机构改革，建立高效灵活的市场化机制和组织体系，进一步降低运营成本，提升管理效率。
另外，全票审议通过了《关于广汽埃安A23项目的议案》。同意控股子公司广汽埃 安新能源汽车股份有限公司A23项目的实施，项目总投资96,124.9万元，资金来源为企业自筹。
2.北方华创：全新12英寸PECVD设备交付客户
11月1日，北方华创发文称，近日其自主研发的高均匀性、大产能12英寸等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备——Cygnus系列，已成功交付客户。这一里程碑标志着北方华创在半导体设备制造领域的又一重大突破，进一步巩固了其在薄膜沉积技术的领先地位。
Cygnus系列PECVD设备主要用于制备氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅等多种高品质介质薄膜，满足逻辑、存储和先进封装对钝化层、隔离层、抗反射层、刻蚀停止层等多样化的应用需求。该设备采用多站位多步沉积工艺方式，实现了高均匀性、高产能，工艺一致性更好、可靠性更高，不仅满足现有逻辑、存储领域对介质薄膜生长的工艺要求，同时解决了大翘曲硅片的传输和工艺均匀性难题，可适用于2.5D/3D三维器件工艺的介质薄膜生长。
北方华创在PECVD设备领域深耕多年，自2012年推出EPEE 550系列PECVD设备以来，已在客户端销售近千台，并在2019年推出EPEE i200/800系列PECVD设备，为近百家客户提供介质薄膜生长解决方案。2022年，公司推出的Lyra系列12英寸介质薄膜生长PECVD设备，以其优良的工艺结果和设备的高稳定性赢得了多家主流客户的认可。
3.雷军回应小米SU7 Ultra定价对标特斯拉：实际配置比Model S Plaid高
11月1日晚，小米集团董事长兼CEO雷军在直播间回应小米SU7 Ultra量产版定价对标特斯拉，称SU7 Ultra标配版本实际配置比Model S Plaid高。雷军表示，希望SU7 Ultra标配版“出道即巅峰”。
据了解，小米SU7 Ultra预售价定在81.49万元，与特斯拉Model S Plaid版国内售价相同。
此前，小米SU7 Ultra原型车刚刚在纽博格林赛道北环赛道创下了6分46秒874的有效圈速，这也让小米SU7 Ultra原型车成为目前纽北速度最快的四门车！
近日，雷军宣布，小米在10月已完成交付2万台小米SU7，预计11月提前完成全年10万辆交付目标。
雷军还表示，小米今年预计研发投入超240亿元，2025年预计达300亿元。
4.【IC风云榜候选企业38】新基讯：5G RedCap技术先锋，打造通信芯片新标杆
【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年新增12项奖项，共设39项大奖，进一步关注半导体投资与退出、科技前沿领域贡献、项目创新以及技术“出海”与拓展。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】成都新基讯科技有限公司（以下简称：新基讯）
【候选奖项】年度新锐公司奖
由于移动通信技术的不断迭代升级，5G乃至未来6G通信技术的研发与应用已成为推动消费电子、物联网及工业等产业发展的重要基石。
新基讯通信技术有限公司（简称：新基讯）于2021年4月正式创立，是一家专注于4G、5G乃至未来6G移动通信系统基带芯片设计的创新企业，该公司同步开发射频收发器、电源管理芯片及电源快充芯片等产品，其产品广泛服务于消费电子、物联网及工业等多个领域。
新基讯团队规模已近200人，横跨上海、成都、南京及珠海四大城市。团队中，超过70%的成员持有硕士或博士学位，核心成员拥有丰富的行业背景，平均拥有超过20年的移动通信技术和芯片产业经验，曾在紫光展锐、华为海思、平头哥、联芯科技等知名半导体企业从事核心研发及高级管理工作，并有两位核心成员荣获“国家科技进步一等奖”的殊荣。
截至目前，北京新基讯已完成三轮融资，累计募集资金约5亿元，吸引了包括策源资本、四川发展引导基金、智路资本、华金资本、芯原股份、电连技术等多家知名投资机构及上市公司的青睐与支持。
2022年11月，新基讯先于国际主流5G通信芯片厂商发布了旗下首个商用5G RedCap Modem IP，并具有完全自主可控的知识产权，已申请发明专利80多项。
2024年初，新基讯自研的5G RedCap/4G双模芯片回片，在IMT-2020(5G)推进组的指导和组织下，新基讯携手诺基亚贝尔和中兴通讯（排名不分先后）完成了5G RedCap终端设备测试与外场性能测试、携手华为完成了5G RedCap终端与基站互操作测试。此次测试覆盖了5G RedCap各种关键测试场景及性能指标，充分验证了新基讯芯片平台的能力和兼容性。
同年6月，新基讯在2024年MWC上海世界移动通信大会上惊艳亮相，重点展示了两款核心产品：5G RedCap普及型手机芯片平台IM6501与5G RedCap物联网芯片平台IM2501。
此次，新基讯凭借IM6501及IM2501的卓越技术实力与市场热烈反响，竞逐“IC风云榜”年度新锐公司奖，并成为候选企业。
IM6501作为一款高性价比的5G普及型手机芯片平台，支持VoNR高清语音通话，旨在满足全球2G/3G网络退网后涌现的5G/4G普及型手机换机需求；IM2501作为高性能、低功耗、低成本的5G模组解决方案，可提供OpenCPU能力供客户二次开发，覆盖消费类和行业类应用场景。
2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2024年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度新锐公司奖】
“年度新锐公司”是拥有核心技术与创新能力的行业佼佼者。IC风云榜“年度新锐公司奖”旨在表彰本年度行业异军突起的新兴企业，通过表彰帮助企业进一步获取更多的关注和资源，从而得到更加稳健、快速和长足的发展。
【报名条件】
1、创业团队有着良好的技术与产业背景，拥有核心技术与创新能力，在细分领域竞争优势明显，解决“卡脖子”的企业优先；
2、企业的产品得到市场验证，2024年主营业务营收过亿元（注：不包括上市公司及进入上市辅导企业）。
【评选标准】
1、评委会由“半导体投资联盟”超100家会员单位及数百位半导体行业CEO共同组成；
2、每位评委限投5票，最终按企业得票数量评选出“年度新锐公司奖”。
5.【IC风云榜候选企业39】瞻芯电子7周年，累计交付SiC MOSFET逾千万颗
【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年新增12项奖项，共设39项大奖，进一步关注半导体投资与退出、科技前沿领域贡献、项目创新以及技术“出海”与拓展。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】上海瞻芯电子科技股份有限公司（以下简称：瞻芯电子）
【候选奖项】年度技术突破奖
2017年，上海瞻芯电子科技股份有限公司（以下简称“瞻芯电子”）在上海成立，是一家聚焦于碳化硅（SiC）半导体领域的高科技芯片公司，致力于开发碳化硅功率器件、驱动和控制芯片产品，并围绕碳化硅（SiC）应用，为客户提供一站式芯片解决方案。
自创立以来，瞻芯电子即布局开发6英寸SiC MOSFET工艺设计和研发工作，掌握了SiC MOSFET和SBD全套工艺技术平台，开发了650V-3300V SiC MOSFET和650V-2000V SiC SBD产品系列，且产品核心参数处于国际一流水平。公开信息显示，瞻芯电子是我国第一家自主开发并掌握6英寸碳化硅（SiC）MOSFET产品以及工艺平台的公司，拥有一座车规级碳化硅（SiC）晶圆厂。
TrendForce统计显示，2023年全球碳化硅功率器件市场中，全球TOP5的国际厂商占据91.8%，其中高端的导通电阻20 mΩ以下的大电流SiC MOSFET市场几乎由国际厂商垄断。
瞻芯电子是国内少有的整合SiC晶圆设计与制造（IDM）的半导体公司，掌握6英寸SiC MOSFET全套工艺技术的公司，且持续迭代开发3代1200V 大电流SiC MOSFET高端产品，突破了国际厂商垄断。
此次，瞻芯电子以“第3代碳化硅（SiC）MOSFET产品（代表型号：IV3Q12013T4Z/BA/BD，IV3Q12035T4Z/D7Z）”竞逐IC风云榜“年度技术突破奖”。
据介绍，第3代SiC MOSFET产品是依托瞻芯电子车规级SiC晶圆厂开发的最新产品，涵盖750V/1200V/3300V电压平台。其中最重磅的第3代1200V 13mΩ SiC MOSFET芯片产品，尺寸为5*5mm，且产品可靠性通过了AEC-Q101和Beyond-AECQ的测试，关键指标达到国际一流水平。该系列产品主要用于车载电驱、高性能电源，凭借出色的性能表现，已获得多家车载电驱动厂商的项目定点。
在技术指标创新上，第3代1200V SiC MOSFET相比第2代工艺，元胞的Pitch缩小超过20%。在核心指标方面，在保证器件的耐压和短路能力的前提下，将比导通电阻Ron.sp降低至2.5mΩ*cm²，且在高温下的导通电阻Ron温升系数，达到国际领先水平。
新产业版图纲举目张。成立7周年以来，瞻芯电子已有订单和送样客户超1000家。截至今年9月，SiC MOSFET产品累计交付逾1000万颗，其中车用SiC MOSFET出货超400万颗，在汽车领域的应用占据主导地位，产品的长期可靠性得到市场充分验证。值得一提的是，最新的第3代SiC MOSFET凭借优异的产品性能，不仅赢得多家EV主驱项目定点，还全面突破光伏、储能、充电桩市场，展现了强大的市场竞争力。
2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2024年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度技术突破奖】
该奖项旨在表彰2024年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，2024年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；
2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。
【评选标准】
技术的原始创新性；（50%）
技术或产品的主要性能和指标；（30%)
产品的市场前景及经济社会效益；（20%）
