全球存储盛会FMS 2024,得一微发表3D NAND可靠性提升主题演讲

来源:得一微电子 #FMS# #得一微#
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Vic Ye 叶敏

演讲主题:

Dynamic Read Retry Method —— Achieving Near-Zero Read Retry for 3D NAND Flash Memory

论坛SSDT-103-1:

提高SSD耐用性与可靠性的技术

美国时间:

8月6日,下午3:40-4:45

地点:

美国加州圣克拉拉会议中心

Ballroom F

得一微演讲简介

得一微Memory分析部总监:叶敏博士将于全球存储盛会FMS 2024上发表《Dynamic Read Retry Method —— Achieving Near-Zero Read Retry for 3D NAND Flash Memory》主题演讲。

闪存存储设备在经历多次P/E cycle后可靠性会降低,导致需要更多的Read Retry进行错误校正,从而导致读性能严重下降。因此,Read Retry方法的优化对闪存读取性能至关重要。叶敏博士的演讲将引领我们深入探索创新性动态Read Retry方法,探讨分析如何提高3D NAND的可靠性,实现3D NAND几乎0次Read Retry,从而极大地提升存储控制器的读性能,实现更好的性能控制和耐磨管理,高效提高存储芯片的寿命与性能。

FMS 2024

得一微展位号:#750

时间:2024年8月6日 - 8日  

地点:美国加州圣克拉拉会议中心

得一微将全面展示包括存储控制芯片、存储器在内的全系列最新产品和存储解决方案,分享最新存储技术和应用成果,欢迎全球行业伙伴莅临展台参观交流。

责编: 爱集微
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