SK海力士公司8月1日宣布，将参加8月6日至8日在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的全球半导体存储器峰会FMS 2024，以展示其存储器技术和产品的进步，并展示在人工智能（AI）领域的未来愿景。
FMS（The Future Memory and Storage）峰会今年邀请了更广泛的参与者，包括DRAM和闪存提供商，因为人们对AI技术的兴趣日益浓厚。
SK海力士表示，今年将扩大参展范围，不仅展示产品，还将发表主题演讲介绍未来愿景。
该公司计划充分利用此次活动，提升其在AI存储器解决方案行业中的竞争力，去年SK海力士在FMS大会上宣布开发出业界最高的321层NAND闪存。
活动开幕式将由SK海力士HBM工艺集成负责人Unoh Kwon和SSD PMO负责人Chunsung Kim发表主题演讲，主题为“AI存储器&存储解决方案领导力和AI时代的愿景”。两位高管将分别介绍该公司的DRAM和NAND产品组合以及针对AI实施优化的AI存储器解决方案。
此次活动上，SK海力士将展示下一代AI存储器产品的样品，例如预计将于第三季度量产的12层HBM3E和计划于明年上半年出货的321层NAND闪存。
SK海力士展示存储器产品系列精选：（从左上角开始，顺时针方向）321层NAND闪存、ZUFS 4.0、PS1010和PCB01
SK海力士展示存储器产品系列精选：（从左上角开始，顺时针方向）LPDDR5T、HBM3E、CMS 2.0和GDDR6-AiM
SK海力士还将展示使用其旗舰产品完成的客户系统，以展示其与全球最大科技公司们的强大合作伙伴关系。
为了展示对多元化的承诺，SK海力士还决定赞助FMS超级女性大会，并在活动期间鼓励存储行业的杰出女性领导者。NAND先进工艺集成负责人、公司首位女性高管级研究员Haesoon Oh将就多元化在SK海力士未来技术创新中的作用发表演讲。
SK海力士总裁兼AI基础设施负责人Justin Kim表示：“随着AI时代的全面开启，存储器解决方案（即多种产品的组合以提高性能，而不是单一的DRAM和NAND产品）的重要性正在日益增加。在FMS，我们将在全球市场上树立我们的竞争力和技术领先地位。”（校对/张杰）
