天眼查显示，华虹半导体（无锡）有限公司“闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法”专利公布，申请公布日为2024年6月28日，申请公布号为CN118265290A。
本发明提供了一种闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法，应用于半导体制造技术领域。在本发明中，其在不增大闪存存储器版图的端头区的面积的基础上，通过在每一所述端头区内的第二浮栅图形的下方添加两个第二有源区图形的方式，增大端头区中有源区的图形密度，优化有源阵列区最边缘有源区的制作工艺环境，进而避免由于端头区中的有源区密度小于有源阵列区中的有源区密度造成的端头区中的最边缘的STI的倾斜角度比较大、端头区中的器件隔离结构，如STI的顶面低于有源阵列区中的STI的顶面、以及在后续进行的浮栅多晶硅的刻蚀过程中浮栅制作工艺的稳定性和一致性遭到破坏、字线与有源区之间发生尖端放电以及降低阈值电压的问题。
