6月12日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司向港交所递交招股书，拟香港主板挂牌上市。
英诺赛科采取IDM一体化垂直运作模式，覆盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试，可以有效控制整个生产流程，是全球首家实现量产8英寸硅基氮化鎵晶圆的公司，也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化鎵半导体产品的公司，公司业务包括设计、开发及生产若干类型的氮化鎵产品，包括分立器件、集成电路、晶圆及模组。
招股书显示，目前，英诺赛科拥有全球最大的氮化镓生产基地，截至2023年末，产能达到每月10000片晶圆，在供应端建立了显著的优势。其强大的量产能力结合先进的制造工艺，为公司带来了显著的先发优势。
2023年收入为人民币592.7百万元，占氮化鎵功率半导体行业市场份额的33.7%。其氮化镓产品在各应用领域获得客户的认可，使其报告期间实现强劲的收入增长，收入由2021年的人民币68.2百万元增加99.7%至2022年的人民币136.2百万元，并进一步增加335.2%至2023年的人民币592.7百万元。
2021年、2022年及2023年，该公司净亏损分别为人民币3399.3百万元、人民币2205.5百万元及人民币1101.9百万元。经调整净亏损(非香港财务报告准则计量)通过加回(i)就发行予投资者的金融工具确认的负债账面值变动及(ii)以权益结算以股份基础的付款开支进行调整，于2021年、2022年及2023年分别为人民币1,080.8百万元、人民币1,276.9百万元及人民币1,015.6百万元。
产业布局方面，公司除了在苏州、珠海建立工厂外，同时在硅谷、首尔、比利时等地设立子公司，公司在发展中国内地市场的同时，不断拓展境外市场。2023年，英诺赛科已向国内和海外（包括亚洲、欧洲和北美）约100名客户提供了氮化镓产品，其中，境外销售收入近人民币5800万元，约占同期总收入的10%。
