ASML于当地时间6月3日宣布，与比利时半导体研究机构IMEC共同开设了一个High NA EUV（高数值孔径极紫外光）光刻实验室，业界可以在这里利用最先进的光刻机TWINSCAN EXE:5000进行试验和优化芯片制造，有助于推动摩尔定律进入埃米（0.1纳米）时代。
英特尔官方也在ASML在社交媒体发布的贴文中回复：“这是芯片制造行业的大日子，很高兴看到这一愿景得以实现，并共同加速下一代芯片的诞生。”2024年4月，英特尔宣布完成组装世界首台ASML High NA EUV光刻机，这款设备价值约3.8亿美元，可用于制造更小制程的芯片。迄今为止，ASML仅向英特尔发货了一台这款光刻机，英特尔计划在其14A制程工艺中使用。
IMEC总裁兼CEO Luc Van den hove表示，“High NA EUV是光刻技术的下一个里程碑，有望在单次曝光中实现20nm间距的金属线/空间图案，从而实现下一代DRAM芯片制造。与现有的多重曝光0.33 NA EUV方案相比，新技术将提高芯片产量、缩短周期，并减少二氧化碳排放量。”
ASML总裁兼CEO Christophe Fouquet表示，“ASML与IMEC共建的High NA EUV光刻实验室，可使我们的客户、合作伙伴和供应商在他们自己的光刻系统在工厂准备就绪之前，有机会提前利用光刻实验室的光刻系统进行工艺开发。这种早期参与生态系统的方式是独一无二的，可以显著加快技术的学习曲线，并促进生产环节的引入。我们致力于在High NA EUV的发展过程中与客户合作并为其提供支持。”
ASML与IMEC共建的实验室位于荷兰费尔德霍芬（Veldhoven），这里也是ASML总部所在地。目前ASML在光刻机设备领域占据主导地位，也是唯一能够制造EUV光刻机的厂商。在芯片制造商中，截至目前只有台积电、三星、英特尔以及SK海力士拥有ASML的EUV光刻机。
全新的High NA EUV光刻机相比早前型号的EUV光刻机，可将分辨率提高60%，有望制造新一代更小、更快的芯片。ASML于6月3日表示，预计客户将在2025~2026年开始使用该设备进行商用制造。
据了解，ASML目前已经接到了十几台High NA EUV光刻机订单。
（校对/张杰）
