荣耀“一种半导体器件和电子设备”专利获授权

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天眼查显示,荣耀终端有限公司近日取得一项名为“一种半导体器件和电子设备”的专利,授权公告号为CN116741772B,授权公告日为2024年5月17日,申请日为2022年9月15日。

本申请提供一种半导体器件和电子设备,涉及半导体技术领域,用于解决如何提升半导体器件的面积效率,降低半导体器件的成本的问题。半导体器件包括衬底、外延层、第一器件、隔离阱和第二器件。外延层包括第一区域和第二区域。第一器件包括多个并联的元胞,每个元胞均包括第一源极、第一漏极和第一栅极。第一源极和第一栅极设置于第一区域,衬底和外延层形成元胞的第一漏极。隔离阱设置于第二区域,且隔离阱与衬底之间由外延层间隔开。第二器件设置于隔离阱内,第二器件与外延层之间由隔离阱间隔开。其中,衬底和外延层的掺杂类型为N型,隔离阱的掺杂类型为P型。本申请实施例提供的半导体器件主要用于电源管理类或其他模拟类芯片。


责编: 赵碧莹
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