TCL“薄膜的制备方法和发光二极管”专利获授权

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天眼查显示,TCL科技集团股份有限公司近日取得一项名为“薄膜的制备方法和发光二极管”的专利,授权公告号为CN114203941B,授权公告日为2024年4月23日,申请日为2020年9月17日。

本申请涉及显示技术领域,提供了一种薄膜的制备方法和发光二极管。本申请提供的薄膜的制备方法包括:提供分散液、基质和第一惰性气体气氛,分散液包括p型半导体材料,第一惰性气体气氛掺杂有芳香族化合物,芳香族化合物能分散或溶解p型半导体材料;在第一惰性气体气氛下,将分散液在基质上进行成膜处理,形成薄膜。通过上述方法制得的薄膜表面平整致密,当应用于发光二极管的空穴功能层时,有利于改善空穴功能层的薄膜形貌,降低空穴功能层与发光层的界面电阻,从而提高器件的空穴传输效率,有效平衡器件的空穴传输效率和电子传输效率,进而提高器件的光电性能和工作寿命。 

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