中芯国际“半导体器件及其形成方法”专利获授权

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集微网消息,天眼查显示,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司近日取得一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利,授权公告号为CN111900088B,授权公告日为2024年3月26日,申请日为2019年05月05日。

本发明一种半导体器件及其形成方法,包括步骤:提供衬底,所述衬底上形成有若干分隔排列的鳍部;在所述衬底上形成横跨所述鳍部的伪栅结构;在所述衬底上形成、所述伪栅结构的侧壁上形成第一层间介电层,且所述第一层间介电层的顶部低于所述伪栅结构的顶部;定义切断开口图形;沿所述切断开口图形,刻蚀所述伪栅结构,直至暴露出所述衬底,形成切断开口;在所述第一层间介电层上形成第二层间介电层,且所述第二层间介电层填充满所述切断开口,所述第二层间介电层顶部与所述伪栅结构顶部齐平;本发明使得所形成的半导体器件性能稳定。


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