华虹宏力“半导体结构的形成方法”专利公布

集微网消息，天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“半导体结构的形成方法”专利公布，申请公布日为2024年3月26日，申请公布号为CN117766468A。

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成栅极结构；在衬底内形成阈值电压调节区，阈值电压调节区具有阈值电压调节离子；在衬底内形成轻掺杂漏区，轻掺杂漏区具有轻掺杂离子。通过在栅后进行阈值电压调节离子注入，使得阈值电压调节离子在沟道区域之外具有更深的注入深度。轻掺杂离子在进行阈值电压调节离子的注入后进行，由于阈值电压调节离子在沟道区域之外具有更深的注入深度，进而有利于注入的轻掺杂离子在源漏区域形成更深且更加层次化的结深，从而改善热载流子注入效应。在此过程中，无需增大轻掺杂离子注入能量和退火热量，有效降低对器件结构性能的损伤。同时也无需采用进行非自对准的掩膜离子注入，有效简化了工艺制程。