英飞凌在美国对英诺赛科提起GaN相关专利诉讼

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集微网消息德国芯片制造商英飞凌表示,已就英诺赛科(Innoscience)的半导体技术向美国法院提起专利诉讼。

英飞凌表示,正在寻求针对一项与氮化镓(GaN)技术相关的美国专利侵权的禁令救济,该技术对其GaN功率半导体至关重要。GaN是一种宽带隙半导体,具有卓越的开关性能,可实现更小尺寸、更高效率和更低成本的电源系统。

英飞凌3月14日通过其子公司英飞凌科技奥地利股份公司对英诺赛科(珠海)科技有限公司和英诺赛科美国及其附属公司提起诉讼。英飞凌正在寻求永久禁令,以防止侵犯其拥有的与GaN技术相关的美国专利。该专利权利要求涵盖GaN功率半导体的核心方面,其中包括可实现英飞凌专有GaN器件可靠性和性能的创新。该诉讼已向加利福尼亚州中区地方法院提起。

英飞凌指控英诺赛科制造、使用、销售、许诺销售和/或进口到美国的各种产品,包括用于汽车、数据中心、太阳能、电机驱动、消费电子等众多应用的GaN晶体管,从而侵犯了上述英飞凌专利。汽车、工业和商业应用中使用的电子产品和相关产品。

英飞凌电源与传感器系统部门总裁Adam White表示:“GaN功率晶体管的生产需要全新的半导体设计和工艺。凭借近二十年的GaN经验,英飞凌可以保证相应终端产品实现最高性能所需的卓越品质。我们大力保护知识产权,从而为所有客户和最终用户的利益行事。”数十年来,英飞凌一直投资于与GaN技术相关的研发、产品开发和制造专业知识。英飞凌将继续捍卫其知识产权并保护其投资。

2023年10月24日,英飞凌宣布完成对GaN Systems的收购,成为领先的GaN厂商,并进一步扩大其在功率半导体领域的领先地位。英飞凌凭借其GaN专利组合(包括约350个专利族)引领行业。市场分析师预计,用于功率应用的GaN收入将以49%的复合年均增长率增长,到2028年将达到20亿美元。

(校对/张杰

责编: 赵月
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