机构：HBM3E竞争加剧 韩国制造商2024年仍占据HBM 92%份额

集微网消息，摩根大通（小摩）近日发布存储市场报告，表示在美光宣布开始大规模生产用于英伟达H200的高带宽存储器（HBM）后，HBM3E的竞争格局正在加剧。摩根大通预计，三星电子及SK海力士HBM3E时间表与预期大致相符，并且估计当前HBM市场规模没有实质性的变化。

摩根大通对美光、三星、SK海力士在HBM3E的最新进展做了说明。

2月底，美光宣布其24GB 8-Hi HBM3E大规模生产，并预计在2024年第二季度将其应用于英伟达的H200 GPU。该公司进一步表示其HBM3E是在lbnm技术节点下生产的（三星将lanm和SK海力士将lbnm用于HBM3E），并预计在2024年3月出样36GB 12-Hi HBM3E。

另一方面，三星宣布36GB 12-Hi HBM3E的产品开发已经完成，并计划在2024年上半年开始量产，而SK海力士将在2024年第一季度末到第二季度初量产HBM3E。

摩根大通指出，所有内存制造商在2024年上半年推出HBM3E解决方案，但该机构估计SK海力士在HBM3E领域领先，其8-Hi HBM3E最早在2024年第一季度末到第二季度初量产应用（而美光在第二季度应用于英伟达H200，三星仍在资格认证中）。

在HBM市场份额方面，摩根大通指出，由于美光在2024年第四季度时的HBM产能仅为约20K wfpm（三星/SK海力士为130K/110K wfpm），美光对整体HBM市场的影响可能仍然有限。摩根大通预计韩国内存制造商将继续在HBM市场上领先，2024年市场份额分别为SK海力士48%，三星44%，在2025年进一步演变为SK海力士47%，三星45%的市场份额。

市场规模方面，摩根大通预计HBM内存市场规模（TAM）在2024年将增至128亿美元。HBM在2024年将占到DRAM市场的15%，并在2025年进一步增至19%。

与英伟达的GPU推出计划（即B100/H200）一致，该机构预计2024年和2025年HBM3E对整体HBM市场的贡献将分别为42%和58%。相较于HBM3，HBM3E的每比特价格溢价为30%或更高，因此HBM3E容量混合的增加将有助于扩大HBM市场市场规模和提升内存制造商的利润状况。

（校对/孙乐）