SK海力士于2024年进行高管人事调整，任命先进封装开发负责人孙晧荣为新任高管，担任SK海力士副社长。孙晧荣近日表示，将继续致力于开发新一代人工智能（AI）存储技术（HBM），引领瞬息万变的AI时代。
据悉，孙晧荣在HBM的开发过程中发挥了重要作用，包括被誉为HBM核心技术的硅通孔技术（TSV）以及SK海力士自研批量回流模制底部填充（MR-MUF）技术，自引进初期，他便领导相关开发工作，为巩固公司人工智能存储技术领导地位发起到了重要作用。
孙晧荣表示，“对于我个人而言，最大的成就是参与并成功开发了2013年第一代HBM，这是个从无到有的过程。即便经历了无数次试错和失败，我们仍没有放弃，而是将失败作为转折点，不断引领其迈向更好的方向，因此才有了现在的第五代HBM3E和先进封装技术的开发成果。”
他认为，在快速变化的人工智能时代，SK海力士的角色也在发生转变，因此必须超越单纯的产品供应商角色，朝全方位人工智能存储器供应商的目标迈进。他表示，为主动应对AI趋势，SK海力士将对现有组织进行细分，并提高各个组织的专业性。未来将提供差异化解决方案，满足客户任何需求。
（校对/赵月）
