昕原半导体“存储器制备方法及存储器”专利公布

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集微网消息,天眼查显示,昕原半导体(上海)有限公司 “存储器制备方法及存储器”专利公布,申请公布日为2024年2月23日,申请公布号为CN117596894A 。

本发明提供一种存储器制备方法及存储器,其中的方法包括:在第一介质层上刻蚀金属槽,并在金属槽内填充第一金属;依次在第一介质层及第一金属上沉积第二介质层和三介质层;在第二介质层和第三介质层上设置孔洞,孔洞延伸至第一金属的上表面;同时,在第一介质层、第二介质层和第三介质层上设置OVL标识槽,OVL标识槽的深度自第三介质层延伸至第一介质层内;在孔洞和OVL标识槽内填充金属层;在金属层与OVL标识槽相对应的沟槽内填充第四介质层,并使第四介质层至少覆盖沟槽至与金属层齐平;对第四介质层、金属层及第三介质层进行研磨,直至孔洞的深度符合预设目标深度。利用上述发明能够确保OVL标识槽的微观外貌,提高存储器的制备精度。


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