集微网消息，据韩媒Moneytoday报道，SK海力士将于今年3月开始量产全球首款第五代高带宽存储器HBM3E，计划在下个月内向英伟达供应首批产品。在存储半导体三大巨头（三星电子、SK海力士、美光）中，SK海力士率先开始量产HBM3E并向供应商供货，进行持续的全球HBM竞争。
去年8月，SK海力士宣布成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E，并开始向客户提供样品进行性能验证。
据半导体行业消息，SK海力士于今年1月中旬正式结束HBM3E的开发。英伟达历时半年多的绩效评估已顺利完成。
半导体产品开发共分为9个阶段（第1阶段至第9阶段），目前所有流程均已完成，进入最后阶段ramp-up（增加产能）。开发的结束恰恰意味着ramp-up已经完成，就性能而言，意味着从现在开始生产的所有HBM3E存储器都处于可立即交付给英伟达的水平。SK海力士将于3月份获得英伟达最终产品质量认证，并立即开始量产交付。
竞争对手三星电子和美光目前也已向英伟达提供HBM3E样品，但确认产品是否达到可交付质量的最终资格测试预计将于3月份开始。由于SK海力士已经在1月完成最终的质量测试，并将在3月交付，因此比路线图计划至少提前了2个月。
SK海力士提供的HBM3E包含在英伟达计划于今年第二季度末或第三季度初发布的下一代人工智能（AI）GPU B100芯片中。英伟达是一家占据AI GPU全球90%以上市场份额的半导体公司，而作为一家存储器半导体公司，SK海力士向英伟达供应HBM则有助于获得并巩固其“技术第一”的地位。半导体行业人士表示，“SK海力士最近发布的HBM3E样品符合英伟达的最终规格”。SK海力士则表示，“我们无法确认与客户相关的任何信息。”
（校对/张杰）
