瑞萨电子3.39亿美元收购Transphorm 押注GaN技术

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1月11日,瑞萨电子和氮化镓(GaN)器件领导者Transphorm宣布双方已达成最终协议,根据协议,瑞萨电子的子公司将以每股5.10美元的价格收购Transphorm,较Transphorm 在1月10日的收盘价溢价约35%,总估值约为3.39亿美元。

公告称,此次收购将为瑞萨电子提供自主的GaN技术,从而将其业务范围扩大到电动汽车、计算(数据中心、人工智能、基础设施)、可再生能源、工业电力转换等快速增长的市场。

据悉,瑞萨电子的目标是利用Transphorm在GaN方面的专业知识进一步扩展其WBG产品组合,GaN是一种新兴材料,可实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的外形尺寸。这些优势使客户的系统具有更高的效率、更小、更轻的结构以及更低的总体成本。瑞萨电子将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型电源解决方案,例如用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案,以及计算、能源、工业和消费应用。

该交易预计将于2024年下半年完成,具体取决于Transphorm股东的批准、所需的监管许可以及其他惯例成交条件的满足。(校对/孙乐)

责编: 李梅
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