北方华创公开“刻蚀方法和半导体工艺设备”相关专利

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集微网消息,天眼查显示,北方华创近日新增多条专利信息,其中一条名称为“一种含硅有机介电层的刻蚀方法和半导体工艺设备”,公开号为CN117174582A。

专利摘要显示,本发明公开了一种含硅有机介电层的刻蚀方法和半导体工艺设备,利用循环交替的至少两个刻蚀步对含硅有机介电层进行刻蚀,其中,至少两个刻蚀步包括第一刻蚀步和第二刻蚀步,第一刻蚀步采用的刻蚀气体至少包括含氧气体,第二刻蚀步采用的刻蚀气体至少包括含氧气体和含氟气体,从而可以通过循环交替进行第一刻蚀步和第二刻蚀步骤,调节含氧气体与含氟气体的气体比例,进而可以调节含硅有机介电层中不同元素的刻蚀速率,进而可以减少含硅有机介电层的沟槽或通孔底部的微沟槽或凸起等,使得沟槽或通孔底部具有光滑的形貌,进而可以避免沟槽或通孔底部的电场应力过于集中影响电子器件的性能。

据悉,在半导体工艺装备领域,北方华创的主要产品包括刻蚀、薄膜、清洗、热处理、晶体生长等核心工艺装备,广泛应用于逻辑器件、存储器件、先进封装、第三代半导体、半导体照明、微机电系统、新型显示、新能源光伏、衬底材料等工艺制造过程。

(校对/刘昕炜)

责编: 李梅
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