新微半导体增强/耗尽型GaAs pHEMT- PTA25工艺平台发布，满足复杂通信场景下的不同应用需求

2023年10月26日，上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”或“公司”）宣布，基于6吋砷化镓（GaAs）晶圆材料的增强/耗尽型（Enhancement/ Depletion Mode）pHEMT工艺平台(简称“PTA25工艺平台”)开发完成。凭借高电子迁移率、高增益、高功率和超低噪声等一系列卓越性能，满足射频器件在复杂场景下的不同应用需求，如移动通信和无线网络等领域。

新微半导体极具竞争力的PTA25工艺平台使用调制掺杂异质结构来实现出色且稳定的高频性能。双异质结结构为器件带来更大的输出电阻、更高的跨导、更大的电流处理能力、更高的工作频率以及更低的噪声系数。该工艺平台可将低噪声系数、高增益模式的0.25μm E-Mode晶体管与高功率密度、高开关速度的0.5μm D-Mode晶体管集成在一起，提供更紧凑的晶体管布局。此外，PTA25工艺平台还为客户提供ESD保护二极管、精密薄膜电阻、外延电阻、MIM电容和堆叠电容等器件，克服了工艺兼容问题，进一步提升射频芯片的集成度。

0.5μm D-Mode pHEMT器件剖面

0.25μm E-Mode pHEMT器件剖面

新微半导体PTA25工艺平台已通过了包括E/D Mode器件的HTOL、T/C、HAST以及被动器件的VRDB、TDDB、Vramp与uHAST等关键的可靠性测试项目在内的完整可靠性验证。通过在片测试对工艺平台的器件进行关键性能参数表征，其中0.25μm E-Mode器件的典型性能为：截止频率（ft）65GHz，导通电阻低至1.2Ω-mm，饱和电流达553mA/mm，跨导达838mS/mm。在频率为10GHz下，器件的最大饱和输出功率密度达到550mW/mm，功率增加效率达58.1%，其噪声性能NFmin可达到0.77dB@12GHz,关联增益超过13dB。此外，0.5μm D-Mode器件的典型性能为：截止频率（ft）为32GHz，导通电阻低至1.2Ω-mm，饱和电流达484mA/mm，跨导达429mS/mm，性能表现优异。

D-Mode 器件性能

E-Mode 器件性能

新微半导体射频产品线致力于提供适用于移动通信及微波毫米波通信应用的先进高频制程的晶圆代工服务。公司将陆续推出不同工艺节点的先进制程技术，基于成熟的制造管理和可靠的质量管控，为广大客户提供全面的射频产品代工解决方案，以满足日益增长的多元化市场需求。