清溢光电接受机构调研时表示，半导体芯片掩膜版技术方面，公司已实现180nm工艺节点半导体芯片掩膜版的客户测试认证及量产，同步开展130nm-65nm半导体芯片掩膜版的工艺研发和28nm半导体芯片所需的掩膜版工艺开发规划。
半导体掩膜版业务方面，公司目前已拥有业内先进的激光光刻机，CD精度可达到130nm掩膜版的要求。佛山生产基地项目拟引入的光刻设备将不限于激光光刻机，也将适时考虑引入电子束光刻机。
清溢光电称佛山生产基地项目将适时考虑引入电子束光刻机
来源：爱集微
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陈炳欣
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