三星正在开发HBM4 目标2025年供货

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三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang宣布,三星开始向客户提供高带宽内存HBM3E样品,且下一代产品HBM4正在开发中,目标2025年供货。

Sangjun Hwang表示,三星还在准备开发针对高温热特性优化的非导电粘合膜(NCF)组装技术和混合键合(HCB)技术,以应用于HBM4产品。

三星电子正在全力开发这些技术,包括在今年年初成立AVP(先进封装)业务团队,以加强尖端封装技术并最大限度地发挥各业务部门之间的协同效应。

此外,三星还计划与HBM一起提供尖端定制交钥匙封装服务,包括2.5D和3D尖端封装解决方案,展示AI和HPC时代的最佳解决方案。

对于上个月发布的32GB DDR5 DRAM,Sangjun Hwang称,降低成本和提高生产率已经成为可能,功耗也可以改善10%,有可能实现高达1 TB的内存模组。

Sangjun Hwang还透露了对将系统半导体计算功能添加到存储器的PIM(存内计算)产品的期望,“HBM-PIM通过在DRAM内部安装数据运算功能,改善了内存带宽的瓶颈,在语音识别等特定工作负载中实现了高达12倍的性能提升和4倍的功效提升。”

(校对/刘昕炜)

责编: 李梅
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