三星电子于去年开始将DDR5 DRAM商业化，这是在行业中首次应用High-K Metal Gate (HKMG)工艺开发的DRAM技术。分析机构Tech Insights日前称，三星电子向内存条厂商芝奇提供了基于高K金属栅极（HKMG）技术的DDR5 DRAM内存颗粒。
该机构表示，已经确认三星电子的HKMG DDR5 DRAM装载在芝奇的Trident Z5系列产品中。其还预计HKMG将成为下一代DRAM行业的新标准。
此外，Tech Insights还通过拆解揭示了三星电子HKMG DDR5 DRAM的量产产品，并放出了其内部电路照片。
来源：Tech Insights
三星电子于去年3月首次宣布DDR5 DRAM开发成功，在业界首次实现HKMG工艺大规模应用。据介绍，DDR5数据处理速度是DDR4的两倍，起步就能到4800MHz，而且容量也会得到提升，但延迟相对上升。
HKMG技术传统上应用于逻辑半导体器件，与传统材料技术相比，HKMG可明显改善漏电情况，三星方面曾表示该技术可减少内存功耗约13%，对注重能源效率的数据中心等应用有重要意义，不过三星并未披露内存的实际商业化情况，只是表示，“我们计划在下一代中根据客户需求及时将内存商业化。
（校对/李梅）
