再获突破！长电科技实现4纳米芯片封装

集微网消息（文/林雪莹）7月22日，长电科技发文称，公司在先进封测技术领域又取得新的突破，实现4nm工艺制程手机芯片的封装，以及CPU、GPU和射频芯片的集成封装。

据悉，4纳米芯片是5纳米之后、3纳米之前最先进的硅节点技术，也是导入小芯片（Chiplet）封装的一部分。作为集成电路领域的顶尖科技产品之一，4纳米芯片可被应用于智能手机、5G通信、人工智能、自动驾驶，以及包括GPU、CPU、现场可编程门阵列（FPGA）、专用集成电路（ASIC）等产品在内的高性能计算（HPC）领域。

在市场的不断推动下，包括消费电子等领域产品不断朝向小型化与多功能化发展，芯片尺寸越来越小、种类越来越多，对先进封测技术的需求也越来越高。诸如4纳米等先进工艺制程芯片，需要先进的封装技术以确保其更好的系统级电学、热学性能。

同时，封装技术也在向多维异构发展。相比于传统的芯片叠加技术，多维异构封装通过导入硅中介层、重布线中介层及其多维结合，来实现更高维度芯片封装。该中介层封装的另一特点是能够优化组合不同的密度布线和互联从而达到性能和成本的有效平衡。

此前，2021年7月，长电科技推出的XDFOI多维先进封装技术，就是一种面向小芯片的极高密度、多扇出型封装高密度异构集成解决方案，其利用协同设计理念实现了芯片成品集成与测试一体化，涵盖2D、2.5D、3D集成技术，能够为客户提供从常规密度到极高密度，从极小尺寸到极大尺寸的一站式服务。

面向未来，长电科技将依托自身丰富技术沉淀和全球资源，聚焦先进封装等技术和工艺，持续提升创新和产业化能力；同时，将不断加深与产业链上下游的协同合作，共同推动集成电路产业的持续发展。

（校对/黄仁贵）