比亚迪半导体全新推出1200V 1040A SiC功率模块

集微网消息，6月20日，比亚迪半导体发文称，已于近期全新推出1200V 1040A SiC功率模块，据介绍，该功率模块成功克服了模块空间限制的难题，在不改变原有模块封装尺寸的基础上将模块功率大幅提升了近30%，主要应用于新能源汽车电机驱动控制器。它突破了高温封装材料、高寿命互连设计、高散热设计及车规级验证等技术难题，充分发挥了 SiC 功率器件的高效、高频、耐高温优势。

该模块采用了双面烧结工艺，即SiC MOSFET上下表面均采用烧结工艺进行连接，具备更出色的工艺优势与可靠性，相比传统焊接工艺模块，连接层导热率最大可提升10倍，可靠性更是可提升5倍以上；芯片上表面采用烧结工艺，因烧结层具有的高耐温特性，SiC模块工作结温可提升至175℃，试验证明，其可靠性是传统工艺的4倍以上。

在功率半导体方面，经过多年的技术积累及发展整合，比亚迪半导体已成为国内少数能够实现车规级功率半导体量产装车的IDM厂商之一，形成了包含芯片设计、晶圆制造、模块封装与测试、系统级应用测试的完整产业链。同时比亚迪半导体拥有突出的科技创新能力，所生产的车规级功率半导体已在新能源汽车厂商中得到充分验证并进行了批量应用，在车规级功率半导体领域实现自主可控及重大突破。

比亚迪半导体于2020年取得重大技术突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全桥SiC功率模块，并已实现在新能源汽车高端车型电机驱动控制器中的规模化应用。

自2005年布局功率半导体领域以来，比亚迪半导体先后在功率芯片发布完全自主研发的2.5代、4.0代、5.0代车用IGBT技术，并于2022年自主研发出最新一代精细化沟槽栅复合场终止IGBT6.0技术，产品性能及可靠性大幅提升，达到国际领先水平。

（校对/James）