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第三代半导体掀投资热,为何SiC基板成发展关键?

来源:爱集微

#第三代半导体#

08-21 21:10

第三代半导体已成为新的兵家必争之地,中美各主要国家也纷纷出台政策来推动其发展,国内外企业也争相投入。

据科技新报报道,工研院产科国际所研究总监杨瑞临认为,第三代半导体近年成为各国政府与产业界关注的热门焦点,主要有三大催化剂。

一是美国电动车大厂特斯拉抢先采用第三代半导体碳化硅(SiC),让SiC组件得以实际发挥散热性佳、提高电动车续航力等优势。

二是全球环保意识抬头,各国政府为达到碳中和、净零碳排,纷纷订定淘汰燃油车的时间表,促使车厂加速转进电动车。

三是中国大陆为吸取硅基半导体受制于人的教训,出台政策来大力支持发展第三代半导体。

有别于中国砸钱补贴的作法,杨瑞临表示,美国政府推动的基建计划中将大举建置充电桩,这将为第三代半导体中的SiC创造市场。

杨瑞临进一步指出,SiC基板是第三代半导体发展最大关键。SiC 晶体管与碳化硅基 GaN 晶体管是成长性较高的两项产品,年复合成长率分别达27%及26%,都需要采用SiC 基板。

此外,SiC功率组件成本架构也是以包含长晶、切割、研磨的基板占最大比重,高达50%。

杨瑞临提到,SiC基板制造难度高,是成本高昂的主要原因。热场控制及晶种掌握相当关键,却只能依照土法炼钢,做中学、学中做。而且SiC长晶效率又比Si慢100至200倍,Si长晶约3天即可制造高度为200公分的晶棒,SiC则要7天才能长出2至5公分的晶球。此外,SiC硬且脆,切割、研磨抛光难度高,会有很多报废物。

目前科锐(Cree)是全球SiC基板龙头厂,市占率超过6成,目前我国有广运集团旗下盛新材料和稳晟材料投入SiC基板领域。

杨瑞临强调,SiC基板不仅占功率组件成本比重高,且与产品质量密切相关,SiC基板将是 SiC发展的一大关键,包括意法半导体(ST)等厂商皆积极朝上游SiC基板发展,以强化竞争力,值得大陆和台湾厂商参考。(校对/清泉)

责编: 慕容素娟

艾檬

作者

微信:ilovekm2008

邮箱:liying@lunion.com.cn

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