长江存储今年年底量产64层3D NAND,下一代将直接进入128层

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集微网消息,来自集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)的消息称,紫光旗下的NAND Flash厂长江存储今年底前将正式量产64层Xtacking 3D NAND产品,而随其2020年逐步扩冲产能,预计将对全球NAND Flash市场供应与价格带来冲击。

集邦预计,长江存储到年底扩张达至少每月60000片投片量,与其他竞争者动辄200000片以上的产能并不算大,但预估NAND Flash市场价格仍会受到一定冲击,进而导致跌价趋势持续。

实际上,长江存储技术有限公司首席技术官程卫华此前在接受《日经亚洲评论》采访时便已透露,公司将在今年年底前大规模生产64层3D NAND闪存。目前,在中国政府的支持下,长江存储正在武汉建设一座240亿美元的半导体工厂,据悉该厂将大规模生产64层NAND闪存。

目前,三星电子和SK海力士正在将90层工艺应用于3D NAND闪存的生产。SK海力士在去年完成研发后,开始大规模生产96层NAND闪存。三星计划在今年下半年推出100层NAND闪存。如果长江存储在今年年底前成功批量生产64层NAND闪存,其与三星电子的技术差距将显著缩小至两年左右。

此外,为了尽快缩短与国外厂商的差距,长江存储在闪存技术上采取了跳跃式发展,32层堆栈的只是小量生产,64层堆栈是今明两年生产的主力,再下一代则会直接进入128层堆栈,跳过了三星、美光、东芝、Intel等公司现在力推的96层堆栈闪存,这几家公司预计在2020年才会推出128层堆栈的闪存。集邦认为,尽管长江存储在技术发展上仍与主要供应商有相当差距,但未来对市场的影响恐势难抵挡。(校对/Musk)

责编: 刘燚
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