相变化内存PRAM(Phase Change RAM)

相变化内存PRAM(Phase Change RAM)是下世代内存技术产品，组成组件包括锗、锑、钛等材料，利用其相变的特性来储存数据数据，具有低功耗和高速读写的特性，但不耐热是缺点，目前有多家内存大厂都在研发PRAM内存，包括三星电子(Samsung Electronic) 、恒亿(Numonyx)、旺宏、IBM等。

过去几年中，PRAM内存常常被拿出来讨论，但多数状况处于学术研究和实验室小量生产阶段，2009年三星即预告PRAM以具有量产的能力，虽然不是主流的产品，但未来会逐渐取代Nor Flash芯片。

日前三星即宣布推出512Mb容量、用于MCP解决方案中PSRAM新产品，希望能在年底前广泛导入手机客户端。

随着智能型手机的用途越来越广，从过去单纯通话、储存小量资料，到现在要具备处理大量数字数据、音乐、影音、游戏等需求，目前手机中使用的内存芯片包含DRAM、SDRAM、NAND Flash、NOR Flash、Pseudo SRAM、Low-Power DRAM等，多种内存，根据不同客户的需求和手机功能，有不同内存间的组合排列。

目前最广泛使用的解决方案是1颗NOR Flash加上1颗Mobile RAM，也就是Pseudo SRAM或是Low-Power DRAM。

另一种用在高容量产品的! 解决方案，是1颗NAND Flash加上1颗DRAM或Mobile RAM芯片；而现在PSRAM加入MCP芯片市场之战，未来手机内存的选择性会越来越多。(连于慧)