随着 AI、智能终端和边缘计算应用的快速发展，市场对于内存带宽和能效的要求不断提升。JEDEC 最新发布的 LPDDR6 标准（JESD209-6），正推动低功耗内存技术迈入新的发展阶段。
作为行业领先的接口 IP 供应商，新思科技近期完成了一项重要验证：LPDDR6/5X/5 PHY IP 在首批 LPDDR6 SDRAM 样片支持的最高速率——10.67Gbps 下，实现了稳定可靠的读写传输，并获得清晰且开口良好的眼图。这一成果不仅验证了其出色的信号完整性和训练算法稳定性，也证明该 IP 已经具备支持下一代移动设备、AI 终端及嵌入式系统的硅实现能力。
图1：LPDDR6 SDRAM 在 10.67Gbps 速率下的测试结果
这项成果延续了新思科技此前在台积公司（TSMC）N2P 工艺节点上成功完成 LPDDR6 IP 芯片点亮的重要进展，为产业生态更早导入 LPDDR6 技术奠定了坚实基础。
新思科技接口 IP 工程高级副总裁 Dino Toffolon 表示：“LPDDR6 IP 在台积公司 N2P 工艺上的成功芯片点亮，是推动下一代内存技术落地的重要里程碑。通过提供经过验证且值得信赖的 IP 解决方案，我们能够帮助客户更快开发面向移动终端、边缘 AI 及高性能计算等应用的创新产品。”
从 IP 验证到先进工艺实现，一系列成果充分证明，LPDDR6 已从传统移动存储技术演进为支撑 AI、高性能计算、汽车电子、边缘计算和消费电子等多元市场的重要内存基础设施。
在 10.67Gbps 下实现稳定可靠运行
验证结果表明，新思科技 LPDDR6/5X/5 PHY IP 在 10.67Gbps 单引脚速率下实现了稳定可靠的运行，具体表现包括：
在完成完整 PHY 训练后，读写眼图保持清晰且开口良好，同时具备充足的水平裕量和垂直裕量；
通过接收端判决反馈均衡（Rx DFE）以及片上终端匹配（ODT）参数优化，有效提升了时序裕量和抖动裕量；
在新思科技测试平台及 2 纳米工艺测试芯片上，仿真结果、信道模型分析与实际硅测试结果之间表现出良好的一致性，验证了设计模型和实现方案的准确性。
展望更高数据速率：迈向 14.4Gbps 的 LPDDR6
虽然新思科技已经在首批 LPDDR6 SDRAM 样片支持的最高速率——10.67Gbps 下完成了互操作性验证，但这并非 LPDDR6 IP 性能的终点。借助 IP 内建的自动测试设备（ATE
虽然新思科技已经在首批 LPDDR6 SDRAM 样片支持的最高速率——10.67Gbps 下完成了互操作性验证，但这并非 LPDDR6 IP 性能的终点。借助 IP 内建的自动测试设备（ATE）测试能力，新思科技进一步验证了该内存接口 IP 可支持高达 14.4Gbps 的数据传输速率，如图 2 所示。
这些测试结果表明，新思科技 LPDDR6 IP 已经为未来更高速率的 LPDDR6 产品做好准备。随着存储器厂商陆续推出性能更高的 LPDDR6 DRAM 器件，该 IP 有望平滑支持更高带宽需求，为下一代移动终端、AI 应用、汽车电子和高性能计算平台提供坚实的内存接口基础。
图2：新思科技 LPDDR6 IP 通过 ATE 测试验证可支持高达 14.4Gbps 的数据传输速率
LPDDR6 引入了一系列重要创新，在提升单位功耗性能的同时，进一步增强了系统扩展能力，使其能够满足从移动终端到 AI 计算等不同应用场景的需求：
全新双通道架构（2×24-bit）
采用双 24 位通道组织方式，在提升有效数据宽度的同时提高数据传输效率，为高带宽应用提供更强支撑。
速率路线图最高可达 14.4Gbps
LPDDR6 规划支持最高 14.4Gbps 的数据传输速率，相比 LPDDR5X 可实现约两倍的有效带宽提升，为下一代 AI 和高性能计算应用提供更充裕的内存带宽。
DVFSL动态电压频率调节机制
引入低功耗动态电压频率缩放（DVFSL）技术，可根据实际工作负载动态调整带宽和功耗，在性能与能效之间实现更优平衡。
更完善的可靠性保护机制
集成片上 ECC（On-Die ECC）、命令/地址奇偶校验（CA Parity）以及激活追踪（Activation Tracking）等功能，有效提升系统可靠性，并增强对 Row Hammer 问题的防护能力。
面向多元化市场应用设计
LPDDR6 已不再局限于移动终端，而是从架构设计之初便面向高性能计算（HPC）、人工智能（AI）、汽车 ADAS、消费电子以及嵌入式边缘设备等广泛应用领域进行优化。
业界观点：共迎 LPDDR6 时代
美光（Micron）云端内存事业部生态发展总监 Gayathri Rao Subbu 表示：“LPDDR6 充分发挥了美光在低功耗 DRAM 领域的领先优势，并结合先进的 NAND 和 SSD 技术，重新定义了内存与存储之间的协同方式。美光与新思科技在 LPDDR 协同仿真、样片支持和技术资料共享等方面持续合作，进一步强化了双方的伙伴关系。随着美光 LPDDR 创新技术持续提升带宽并实现超低功耗，下一代解决方案将获得更优异的性能和能效。结合新思科技等生态合作伙伴的技术进展，这些突破将推动 LPDDR6 在整个行业中的顺利导入和规模化应用。”
三星（Samsung）产品规划团队副总裁兼负责人 Jangseok Choi 表示：“随着新思科技 LPDDR6 IP 完成技术准备，三星期待能够加快 LPDDR6 产品导入市场，并让消费电子设备、数据中心以及汽车行业客户充分体验三星 LPDDR6 带来的高性能和低功耗优势。”
SK 海力士（SK hynix）DRAM 产品规划副总裁 Sangkwon Lee 表示：“旗舰智能手机、汽车系统以及端侧 AI 设备对性能的需求不断提升，使 LPDDR6 成为低功耗 DRAM 发展的重要一步。新思科技在推动这一新标准落地方面发挥了重要作用，支持依赖 SK 海力士内存产品的各类应用顺利向 LPDDR6 过渡。”
新思科技如何加速 LPDDR6 生态发展
为了推动 LPDDR6 的产业化导入，新思科技提供完整的 IP 解决方案，涵盖控制器、PHY、安全 IP 以及验证 IP，帮助客户更快开展 LPDDR6 产品开发。
基于先进 GAA 工艺技术完成的早期硅验证表明，新思科技 LPDDR6 IP 能够在 10.67Gbps 速率下稳定运行，进一步增强了业界对 LPDDR6 生态成熟度的信心。
在 10.67Gbps 单引脚速率下实现清晰且开口良好的读写眼图，不仅为 LPDDR6 系统级验证奠定了坚实基础，也再次体现了新思科技在下一代内存接口 IP 领域的技术领导力。
随着高性能计算（HPC）、人工智能（AI）、汽车电子、消费电子以及边缘计算等市场不断追求更高带宽，同时需要严格控制功耗，LPDDR6 将在性能与能效之间实现更优平衡，并成为下一代智能计算平台的重要内存技术。
