9月9日-11日，2026 IICIE国际集成电路创新博览会在深圳国际会展中心（宝安）召开。作为重磅活动之一，AI算力时代硅光产业峰会于9月10日举办，分为“硅光芯片设计及制造”与“AI算力时代CPO与光电异构集成”两大专场，汇聚国内外顶尖企业、机构与学术力量，从器件架构、制造代工、工艺设备到封装集成、产业生态，全方位勾勒硅光产业从技术突破到规模化落地的完整图景。
从器件到制造，夯实硅光产业底座
“硅光芯片设计及制造”专场由中国科学院微电子研究所研究员、微电子所硅光平台负责人李志华博士主持。六位嘉宾依次登台，从芯片架构、制造代工、工艺设备到衬底生态，层层递进勾勒出硅光产业从设计到量产的完整链条。
赛勒光电CEO甘甫烷
赛勒光电CEO甘甫烷首先从系统架构层面切入，指出CPO将光电转换从机柜边搬到ASIC旁，是解决功耗、带宽、距离、延迟四大挑战的最终演进方向。在技术路径上，硅光单路带宽高、可WDM、与CMOS工艺兼容，是所有CPO技术中最成熟、最先量产的方向。2026年被产业界公认为CPO商用元年，台积电COUPE平台已量产，英伟达Spectrum-X硅光技术6月全面量产，博通Tomahawk6出货。NPO作为可插拔的CPO技术，预计明年国内大规模量产。赛勒光电400G、800G、1.6T产品已大规模出货，6.4T NPO明年送样，液冷将成为NPO/CPO级别的标配。
武汉新芯市场总监蒋鹏飞
从芯片架构往下延伸，制造代工环节的突破同样关键。武汉新芯市场总监蒋鹏飞指出，AI算力百倍增长带动互连需求激增70多倍，硅光技术占比预计从10%提升至未来50%以上。武汉新芯基于12寸SOI衬底已实现40nm硅光平台量产，连续批次良率95%，锗PD带宽从35G迭代至200G甚至400G，产能预计2030年将达2万片/月。同时打造40nm SiGe电芯片平台，预计2027年底、2028年初推出。在NPO/CPO布局上，更看好Hybrid Bonding+PIC interposer叠层方案。
广州增芯科技副总裁严然
除了硅基路线，MEMS也为硅光产业提供了另一条技术路径。广州增芯科技副总裁严然指出，AI瓶颈正从算力转向数据传输，MEMS可实现光调制、光交换、动态调控等功能，谷歌数据中心采用MEMS方案已实现30%建设成本降低、41%功耗降低。增芯选择融合MEMS、CMOS与光子技术，以模组形式推出初代解决方案，将搭建全新硅光闭环工艺平台。
华海清科工艺总监李晓其
制造与器件的突破，离不开上游设备与工艺的支撑。华海清科工艺总监李晓其指出，2025年全球离子注入市场规模30.1亿美元，预计2030年达48亿美元，国产占比不到2%，先进封装正成为全新增量赛道。华海清科推出中束流平台iHQ-900E，相比国际大厂可实现2倍更好的角度控制、40%更好的束流均匀性，成熟制程领域可与海外大厂竞争。
璞璘科技CEO邓萌萌
在光芯片制造环节，璞璘科技CEO邓萌萌指出，传统EBL电子束光刻加工一片晶圆需8-9小时，纳米压印1小时可实现10-25片产能，成为破局关键。璞璘科技打通“设备+材料+工艺”全链条，2026年6月交付PL-AS设备，实现8英寸光芯片规模化量产，完全绕开DUV光刻，成本降至传统方案的1/10，所有材料全部国产。
Silicon Austria Labs战略合作负责人Angeline Tee
放眼国际，Silicon Austria Labs战略合作负责人Angeline Tee介绍，TFLN可满足400G/800G/1.6T AI数据中心互连需求，但行业现状是碎片化、不安全的供应链。SAL拥有1400m² ISO 4/5 200mm洁净室，投资超3000万欧元，是欧洲唯一完整的200mm TFLN制造生态系统建设者，目标是实现欧盟主权TFLN路径。
从封装到系统，解锁光电异构集成新路径
如果说“硅光芯片设计及制造”专场解决了“怎么造”的问题，那“AI算力时代CPO与光电异构集成”专场则聚焦“怎么用、怎么连”，由联合微电子中心有限责任公司硅光中心主任冯俊波主持。七位嘉宾从市场趋势、互连应用到封装仿真，逐层推进至系统级落地。
LightCounting高级分析师曹丽
LightCounting高级分析师曹丽首先从市场趋势角度给出判断：Meta数据显示CPO端口MTBF可达3.2M小时，可靠性优于可插拔模块。Scale-out场景CPO省电效益不显著，LPO、LRO方案已能满足需求；Scale-up才是CPO/NPO的真正驱动力。CPO真正的障碍是产业链问题，Open CPX组织将固定光引擎变成独立可插拔单元。LightCounting预测，CPO/NPO端口出货量将从2026年起快速攀升，2031年Scale-up应用占据主导，市场规模可达数十亿美元。
曦智科技副总裁朱剑
市场趋势明确后，具体互连方案的落地成为焦点。曦智科技副总裁朱剑指出，硅光最大优势是与CMOS工艺90%相同，可基于庞大CMOS生态快速扩产，3.2T NPO仅需一两个PIC片子。在OCS方面，英伟达要求OCS单port成本100美金，而目前MEMS为400-500美金、硅光为1000-2000美金，曦智科技创新推出分布式OCS产品，把光交换放进模块，兼顾工程可实现性与客户成本接受度。芯片内部硅光波导做芯片扩展是重要方向。
SOITEC产品技术营销经理Florian DOMENGIE
互连方案的实现，离不开衬底材料的支撑。SOITEC产品技术营销经理Florian DOMENGIE指出，互连已成为瓶颈，实际xPU利用率仅60%。Soitec推出Photon-SOI、Photon-LNOI、InPOSi三大平台，通过异质集成将LN和InP等高性能材料“硅化”到CMOS平台上，双基地制造确保高良率量产。
上海新微科技集团CTO黎明
在封装集成层面，上海新微科技集团CTO黎明介绍，易卜半导体聚焦Chiplet+CPO，可做设计、仿真、硅转基板TSV及CP/FT测试。北美MSA推进多项方案：XPO通过液冷做大Pluggable，Open CPX用socket做可插拔CPO，OCI MSA走slow and wide路线。易卜硅光产品覆盖2D、2.5D、3D，已为多个客户完成1.6T、3.2T方案设计仿真并成功点亮，6.4T用FreeChip方案推进中。单波448G信号PAM4/PAM6选择及90GHz以上插损仍是材料挑战。
上海澜昆微电子CEO董晶晶
封装之外，光互连的协议与标准同样关键。上海澜昆微电子CEO董晶晶指出，OIO是短距光互连领域最顶级的方向，与NPO、CPO长期共存，电侧需兼容UCIe协议，光侧需遵循OCI标准。澜昆微电子发布国内首个满足OCI标准的3.2T Optical I/O产品Denali，单颗芯片集成128个微环，带宽密度超过1Tbps/毫米，是英伟达2026年发布带宽密度的2倍。公司基于商用FAB和自校准算法，校准能力超过制造偏差的3倍，可支撑大规模量产。产品采用单片集成方案，良率非常高，最先落地的是NPO产品和网卡。
芯和半导体研发总监温继敏
随着光电集成度不断提升，仿真设计的重要性日益凸显。芯和半导体研发总监温继敏指出，演进到NPO/CPO后，电、光、热与应力多物理场耦合到同一边界，ASIC发热达千瓦级，硅光引擎对热和翘曲极为敏感，必须进行多物理协同仿真。芯和基于16年积累，实现光电全链路融合仿真，是业界最早进行真正端到端仿真的公司之一。AI方面，芯和推出多智能体架构，多物理场仿真内置AI模型推理达毫秒级，较传统求解器提升数个数量级。
北京光联芯科副总裁张巍巍
最后，北京光联芯科副总裁张巍巍指出，公司致力于打造全国产化光互连芯片，已开发全国首个12寸硅光量产工艺，今年三季度可在12寸晶圆实现3.2T-32T微环可量产级精密硅光芯片规模化落地。公司全球首发可自由编辑微环波长的光刻机，已实现从光源到光电合封全链路自主可控。光博会现场展出3.2T NPO光引擎实际演示，达124dB以上，电路团队实现30-80度温度范围内微环实时锁定，模拟GPU发热全天演示无误码。未来两年将围绕GPU和Switch芯片先进封装，布局100T-200T Switch芯片光交换。
本届博览会及硅光产业峰会汇聚国内外顶尖智慧，全方位展现了AI算力时代硅光产业的最新进展与未来趋势。与会嘉宾一致认为，随着CPO商用元年的到来、硅光平台量产的加速、TFLN生态的完善以及国产化进程的深入推进，硅光产业正迎来从技术突破到规模化落地的关键转折期，跨界融合与全链协同将成为共筑特色芯生态的核心动力。
