面向 Intel 14A 设计的经认证 AI 驱动 EDA 流程与多物理场分析:提供电源完整性、热效应和电磁效应的早期洞察,提升设计可预测性并加快设计收敛。
从 DTCO 到系统感知协同优化:将协同优化扩展至芯片、封装、IP 和系统层面,支持系统级实现并获得最佳 PPA。
多芯片系统与先进封装领先能力:新思科技 3DIC Compiler 平台将从设计探索到签核的支持扩展至采用英特尔 EMIB 和 EMIB-T 技术的设计,支持多芯片系统设计实现。
广泛的 IP 产品组合助力加快流片进程:面向 Intel 14A 的接口 IP 与基础 IP 产品组合,包括 PCIe 7.0、224G SerDes、USB 4 和 eUSB,可降低集成风险并加快设计就绪。
新思科技(纳斯达克股票代码:SNPS)近日在 2026 DAC Chips to Systems Conference 上宣布,进一步深化与英特尔晶圆代工(Intel Foundry)的合作。双方已完成面向 Intel 14A 工艺技术的 AI 驱动 EDA 流程认证,并在针对 Intel 18A 和 Intel 18A-P 技术已通过认证且具备量产能力的 EDA 流程和 IP 产品组合基础上,进一步将设计赋能从设计技术协同优化(DTCO)拓展至系统感知协同优化。随着 AI 和高性能计算(HPC)设计逐步突破单芯片扩展模式,实现系统级创新不仅需要先进工艺技术,还需要将 AI 驱动 EDA 流程、多芯片设计、集成式多物理场分析以及全面的 IP 产品组合深度融合,从而加快系统级实现。
英特尔高级副总裁兼代工服务事业部总经理Shawn Han表示,在 AI 持续驱动产业发展的时代,英特尔代工致力于依托最先进的工艺技术,加速创新,并提供从芯片到封装的可预测执行能力,助力客户取得成功。我们与新思科技开展了广泛而深入的合作,包括提供 AI 驱动的认证设计流程和 IP 解决方案,这些成果为客户带来了更高的易用性和设计信心,帮助他们更高效地实现设计目标。
新思科技资深副总裁Michael Buehler-Garcia表示,埃米级设计重点已不再只是从工艺节点中进一步挖掘功耗、性能和面积(PPA)优势,更重要的是将工艺创新转化为可预测的系统级成果。通过与英特尔代工的合作,新思科技正帮助客户加快设计收敛、减少后期返工,并提高首次流片成功率。我们高度认可英特尔晶圆代工团队在 Intel 14A 工艺研发方面取得的重要进展,这些成果将进一步拓展先进半导体制造能力的边界。
系统感知协同设计:EDA 与多物理场融合
在采用背面供电(Backside Power Delivery)和高密度 3D 集成技术的埃米级工艺节点下,电学、热学和机械效应已无法再进行孤立分析。为应对这一挑战,新思科技将经认证的 AI 驱动实现与签核流程与多物理场分析能力深度融合,为客户提供面向 Intel 14A 工艺的电源完整性、热分析和电磁分析完整解决方案。
赋能多芯片系统时代
随着多芯片设计成为 AI 和高性能计算(HPC)领域的主流架构,新思科技与英特尔代工正进一步深化双方长期验证的合作成果,支持先进 Chiplet 架构在系统级实现更高效的集成、分析与优化。基于 3DIC Compiler 的新思科技参考设计流程支持英特尔嵌入式多芯片互连桥接(EMIB)和嵌入式多芯片互连桥接-T(EMIB-T)先进封装技术,提供早期凸点(Bump)和 TSV 规划、自动化 UCIe 与 HBM 布线,以及跨芯粒的统一多物理场分析能力。开发者能够在芯粒、英特尔 EMIB 和 EMIB-T 互连以及封装层面,同时开展电源分配网络(PDN)、热梯度和信号完整性分析与优化,从而在设计阶段发现并解决系统级问题,而无需等到流片之后再进行修正。
通过覆盖 Intel 18A、Intel 18A-P 和 Intel 14A 的广泛 IP 产品组合推动生态系统就绪
新思科技与英特尔代工持续通过新思科技不断扩展的高性能接口 IP 和基础 IP 产品组合,推动 AI 和高性能计算创新。目前,该产品组合已支持 Intel 18A 和 Intel 18A-P 工艺,并正进一步扩展至支持 Intel 14A 技术,帮助客户降低复杂 SoC 和多芯片设计的集成风险并加快流片进程。
以下面向 Intel 14A 优化的新增产品包括:
接口 IP,包括 224G SerDes、PCIe 7.0、USB 4 和 eUSB,可满足下一代 AI 和 HPC 应用对高吞吐量和互连能力的需求。
基础 IP,包括嵌入式存储器、逻辑库和 IO,可帮助客户优化性能、功耗和面积(PPA),同时降低总体拥有成本(TCO)。