晶盛机电加速60万片8英寸SiC衬底项目投产,多业务进展良好

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2026年07月09日,晶盛机电发布投资者关系活动记录表公告。在此次特定对象调研活动中,相关问题及回复如下:

问题1:公司碳化硅衬底材料的扩产情况?

回复:在全球能源革命与半导体升级背景下,碳化硅(SiC)正加速向大尺寸升级,8英寸SiC衬底即将成为产业主流方向。公司子公司浙江晶瑞电子材料有限公司全面加速年产60万片8英寸SiC衬底项目投产,并启动建设新一期的基础设施,本次扩产项目实现无人化自动运行和数字化管控,将建设成为行业领先的全自动智能工厂。

问题2:公司碳化硅衬底材料的业务进展?

回复:公司基于自主研发的碳化硅单晶生长炉以及持续迭代升级的8 - 12英寸长晶工艺,攻克12英寸碳化硅晶体生长中的核心难题,实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破,成功建设12英寸碳化硅衬底加工中试线并送样验证。同时,积极推进8英寸碳化硅衬底在全球的客户验证,送样客户范围大幅提升,产品验证进展顺利,成功获取海内外客户的批量订单,订单持续增长。光学级碳化硅材料布局成效显著,8英寸产品工艺稳定并实现规模量产,12英寸光学级碳化硅衬底研发取得突破并小批量生产。

问题3:今年以来,公司半导体设备业务进展?

回复:业务持续发展。在集成电路装备领域,公司已构建8 - 12英寸半导体大硅片核心装备的全产业链布局,产品质量达国际先进水平,国内市占率领先;同时,延伸至芯片制造与封装环节,相关产品取得市场认可并实现批量销售。在化合物半导体装备领域,公司6 - 8英寸碳化硅外延设备、氧化炉、激活炉实现国产替代,市占率行业领先。今年以来,公司半导体大硅片设备、碳化硅设备、芯片制造设备业务进展顺利。

责编: 爱集微
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