1. 长晶科技汽车照明应用方案
2. 台基股份IGBT器件通过多家客户认证，订单按期交付
3. 捷捷微电：自研光电耦合方案区别康宁GlassBridge
4. 迈为股份子公司牵头国家级量子芯片倒装键合项目
5.专利战加速国产化 中国氮化镓国产化率已达61％
6.AI需求推高LPDDR5价格，智能手机或迎新一轮提价
1. 长晶科技汽车照明应用方案
汽车照明已从传统卤素光源时代迈入智能数字化时代，成为定义整车科技感与驾乘质感的重要环节，车灯电控系统对高可靠半导体器件的需求持续提升。长晶科技推出全系列车规级半导体产品，为智能车灯系统构筑稳定的电控底层支撑，助力车载照明从“基础点亮”向“智能驭光”升级。
核心产品与能力
长晶科技产品系列覆盖车规级 MOS 管、二极管、三极管、TVS 浪涌保护管，可实现高精度调光、纳秒级响应、电路过压 / 过温 / 短路保护等核心功能，支撑全车照明智能化、稳定化、低功耗运行，适配新能源汽车、乘用车、商用车全域照明智能化升级需求。
全链路覆盖核心单元
长晶科技车规级产品方案覆盖车灯系统全链路模块，可提供完整的器件选型支撑。
车辆照明应用框图
车辆照明保护单元
车辆照明电源模块
车辆照明灯板控制
在汽车电动化、智能化、网联化的发展趋势下，车载照明系统的智能化升级仍在加速推进。长晶科技将持续迭代车规级半导体产品，以高可靠性、高适配性的全链路器件方案，持续赋能汽车照明智能化升级，助力全场景智慧出行。
2. 台基股份IGBT器件通过多家客户认证，订单按期交付
针对市场关注的IGBT业务发展问题，7与月6日，台基股份在投资者互动平台作出回应，披露旗下IGBT产品的最新进展。
本次互动交流中，投资者集中向台基股份提出多项核心问题，重点询问公司 IGBT 板块的业绩增长空间、产品盈利水平、核心技术壁垒，以及该业务在整体营收、利润结构中的占比情况，全面关注功率半导体新品商业化进程。
针对上述系列提问，台基股份官方作出明确答复，称公司自研 IGBT 器件已顺利通过多家下游客户的全流程资质认证，当前在手订单均可依照合作协议按期完成交付，IGBT 相关业务正处于稳步拓展阶段。
IGBT 是新能源装备、工业自动化设备的核心功率元器件，行业准入存在严苛、周期较长的客户认证流程，多款产品批量通过客户验证，意味着台基股份 IGBT 在性能、可靠性层面获得下游市场认可。而订单按期稳定交付，也体现公司产线产能调配、批量生产管控体系成熟，能够持续承接下游新增采购需求。
（校对/李正操）
3. 捷捷微电：自研光电耦合方案区别康宁GlassBridge
7月6日，捷捷微电针对投资者提出的耦合技术相关疑问作出官方答复，明确区分公司自研光电耦合架构与康宁GlassBridge光耦合方案，澄清市场此前存在的概念混淆。
市场此前存在信息误读，将捷捷微电内部光电耦合产品架构与康宁GlassBridge光耦合技术体系混为一谈，引发投资者对公司核心互连技术来源、知识产权归属的疑虑。公司主动对外厘清技术路径，清晰区分两类技术底层实现逻辑，消除资本市场信息偏差。
从技术架构差异来看，捷捷微电自研光电耦合方案拥有独立设计链路，核心封装、光路匹配、信号传输结构均为自主研发设计，拥有完整知识产权；而康宁GlassBridge属于另一套光耦合实现体系，二者在材料选型、光路布局、芯片互连方式上存在本质区别，不存在技术复用、授权使用等合作关系。
光电耦合器件是功率半导体、信号隔离领域核心配套产品，广泛应用于工控、新能源、消费电子电路隔离场景，相关互连技术直接决定器件隔离性能与传输效率。捷捷微电长期布局隔离器件自研体系，本次澄清充分凸显企业在光电耦合赛道的自主研发能力，规避外部技术依赖带来的经营风险。
（校对/李正操）
4. 迈为股份子公司牵头国家级量子芯片倒装键合项目
近日，国家重点研发计划量子专项 “量子芯片倒装键合设备及关键技术研究” 项目启动会在珠海高新区迈为技术半导体产业园举行，标志我国量子芯片核心封装装备自主攻关工作全面开展。
该项目由迈为股份旗下迈为技术（珠海）有限公司作为牵头单位，联合广东工业大学、哈尔滨工业大学、南方科技大学搭建产学研协同攻关团队，整合产业制造、高校前沿理论、实验室工艺验证多方资源，构建完整的技术研发闭环。
倒装键合设备是多比特超导量子芯片规模化制造的核心工艺装备，直接决定芯片互连精度、量子相干时长与量产良率，该类高端设备长期依赖海外进口，是制约国内量子计算产业发展的关键短板。本次专项将围绕设备整机研发、核心精密工艺、配套材料匹配三大方向开展技术突破，实现装备全流程国产化。
依托迈为技术在先进封装键合设备领域成熟的研发与量产经验，项目将把成熟晶圆键合精密控制技术迁移适配量子芯片低温、超高精度制造场景，攻克微米级对位、低温真空键合等多项行业难点，搭建可适配多比特超导量子芯片的国产量产装备平台。
5.专利战加速国产化 中国氮化镓国产化率已达61％
虽然中国法院已对全球功率半导体巨头英飞凌（Infineon）涉及侵权的氮化镓（GaN）产品下达禁售令，但英飞凌与中国氮化镓功率芯片龙头企业英诺赛科的专利战仍然在延续。双方的法律战已经扩大到德国与美国，这场博弈正加速牵动中国氮化镓元件市占率争夺战。
缠斗多年的英飞凌与英诺赛科专利争端仍在延续。综合陆媒报导，7月1日举行的上海慕尼黑电子展上，英诺赛科携中国最高法院6月12日作出的侵权判决，要求英飞凌撤下侵权产品并获展会方支持。英飞凌声明认为，相关产品仍处司法复核阶段，不认可侵权定性。
在海外市场，双方同样展开激烈攻防，美国国际贸易委员会与德国慕尼黑地方法院此前已多次裁定英诺赛科侵权。德国法院也在7月3日判决英飞凌胜诉，禁止英诺赛科在德进口及销售侵权产品。英诺赛科则表示，根据法院判决，当前在售主力产品不受该专利约束。
该法律战可追溯至2023年10月，英飞凌收购加拿大企业GaN Systems后，手握超450项氮化镓相关专利，随后自2024年起在欧美两大核心市场，并先后在美国与德国市场取得胜诉。
对此，同样掌握上千项全球专利的英诺赛科，也在中国发起诉讼并胜诉。目前双方仍在进行法律博弈，但专利咨询机构PRIP Research认为，已经判决的中国销售禁令将对英飞凌的高毛利业务如AI资料中心与车规级模组造成冲击。
随着海外巨头受限，中国国内的供应商也将迎来转单。根据博研咨询数据，2026年中国氮化镓器件整体国产化率已达61％。以英诺赛科为例，其2025年AI资料中心业务营收约人民币6,319万元，大增50.2％，产品更被辉达、谷歌等公司采用。目前更在加紧扩产，预计2027年初，8吋晶圆月产能将达3万至3.5万片。
英飞凌禁令的影响也在股市引发关注，此前6月15日禁令落地的消息释出后，英诺赛科单日大涨16.6％，士兰微、三安光电、华润微等同属氮化镓领域的股票也都上涨。此外，新兴的氮化镓积体电路领域正处于高速增长期。 2025年中国相关市场规模年增长66.7％，远超全球32％的平均增速。（来源： 工商时报）
6.AI需求推高LPDDR5价格，智能手机或迎新一轮提价
受人工智能服务器需求激增的间接拉动，智能手机核心存储元器件正经历一轮价格跳涨。据最新大宗交易数据，32GB容量LPDDR5 DRAM芯片在2026年4月至6月期间的合约均价已升至约59.0美元，较上一季度暴涨四成。这一涨幅远超市场预期，直接冲击着中高端手机的成本结构。
涨价的核心驱动力来自英伟达新一代AI服务器的存储方案。该巨头为其服务器专门设计的内存模块“SOCAMM”，正式采用了LPDDR5——这种低功耗内存原本是手机和平板电脑的“专属配置”。与用于GPU加速训练的HBM不同，SOCAMM模块紧邻CPU部署，专攻AI推理处理和系统级海量数据吞吐，而其可插拔设计更便于运维升级，恰好契合数据中心对低功耗与高带宽的双重苛求。
目前，SOCAMM模块的LPDDR5芯片由三星电子、SK海力士和美光科技三家DRAM巨头垄断供应。美光科技日本法人透露，其产品因率先满足英伟达专有规格而获正式采用，市场预期LPDDR5后续涨价弹性将显著高于其他DRAM品类。而英伟达已量产的新一代服务器“Vera Rubin”，据称已搭载LPDDR5的改良版本，进一步锁定了长期需求。
这番“服务器抢芯”的连锁反应，正快速传导至消费电子终端。调查公司Counterpoint Research统计显示，在售价800美元以上的高端智能手机中，LPDDR内存与NAND闪存合计占整机物料成本的比例已攀升至34%，较半年前骤增15个百分点。苹果等品牌的高端机型首当其冲，已有报道称苹果正考虑上调iPhone售价以对冲成本压力。
与此同时，智能手机市场本身已显露疲态。全球销量在2026年1至3月环比下滑5%，降至2.87亿部，为连续九个季度以来的首次负增长。Counterpoint高级顾问宫下洋子警告，若存储芯片价格继续高企，智能手机涨价潮或将进一步抑制终端消费，形成“成本推动型”量价双杀的局面。
