6月30日，上海证券交易所正式受理了北京天科合达半导体股份有限公司（简称“天科合达”）的科创板IPO申请。这家专注第三代半导体碳化硅（SiC）衬底材料的企业，拟募资27.8亿元，用于扩产与研发。从打破海外垄断到市占率稳居全球前三，天科合达用二十年时间，书写了一部中国碳化硅材料从“追赶”到“领跑”的产业突围史。
碳化硅被誉为第三代半导体的“基石”，因其宽禁带、高击穿电场、高热导率等特性，在耐高压、大功率、低损耗场景中具有不可替代的优势。天科合达是国内最早实现碳化硅衬底产业化的企业，建立了国内第一条碳化硅衬底中试生产线。经过持续技术攻坚，公司相继实现2英寸至8英寸碳化硅衬底的规模化生产，并成功研发出12英寸碳化硅衬底产品。
这一技术积累带来了显著的市场地位。自2023年以来，公司核心产品导电型碳化硅衬底的市场占有率连续位居全球前三，成功打破了海外厂商对该领域的长期垄断，成为全球碳化硅材料领域的领军企业之一。
碳化硅衬底是制造碳化硅器件的核心材料，其质量直接决定下游器件的性能。基于在衬底领域的深厚积累，天科合达战略性地向下游碳化硅外延片业务延伸，构建了行业内稀缺的“衬底+外延”一体化交付体系。这一模式实现了对下游器件厂商核心需求的直接响应与深度协同，为客户提供了从材料端到器件端的全流程质量保障。
目前，公司客户已覆盖客户一、客户二、客户三、客户四、客户五等全球知名半导体器件厂商，为碳化硅器件的规模化应用和产业链自主可控提供了有力支撑。
随着新能源汽车、光伏发电与储能、轨道交通、智能电网等规模化应用场景的需求持续增长，叠加AI算力基础设施、AR眼镜、低空经济等新兴领域商业化进程的加速推进，碳化硅正从“可选项”转变为“必选项”，向规模化普及加速渗透。在这一全球能源转型与信息技术革命的关键节点，天科合达凭借技术与产能的双重优势，正成为中国第三代半导体材料在全球竞争中不可或缺的核心力量。
此次IPO，公司拟将募集资金投向第三代半导体碳化硅材料扩产、衬底材料单晶原料建设及晶片产能扩充等项目。从打破封锁到全球引领，天科合达正以“硬核”材料，为中国新能源与半导体产业构筑自主可控的坚实底座。
