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东芝-WD联盟 3D NAND量产将使用三星TCAT工艺

Yuna·2019-12-12·IC  来源: 爱集微

集微网消息(文/Yuna),据Impress Watch网站报道,东芝在12月8日 召开的IEDM会议上声明在3D NAND闪存量产中采用类似于三星TCAT的存储单元结构。

东芝和三星在3D NAND技术开拓上一直处于领先地位。

东芝开发了BiCS工艺,采用先栅极方法,通过交替沉积氧化物层和多晶硅层堆叠形成通道孔,填充ONO和 pSi,再沉积光刻胶,通过连续蚀刻流程刻出一个阶梯形成互连。

三星则开发了后栅极方法,通过交替沉积氧化物和氮化物层,形成穿过层的通道,填充ONO和pSi,形成阶梯后蚀刻出一个贯通的槽,并去除其中的氮化物,然后沉积氧化铝、氮化钛和钨后对其进行回蚀,最后用坞填充槽。

两种工艺的主要不同在于BiCS 使用了pSi字线的先栅极方法,而 TCAT 则使用 W 字线的后栅极方法。BiCS的优势在于工艺相较简单,TCAT的优势在于电阻低,有助于提升闪存性能。

尽管东芝一直在做BiCS,但业界一直有传言说东芝做不出有效的BiCS,量产部分用的其实是TCAT 工艺。东芝方面此前并未就这一传言做出任何回应。

而这次IEDM会议上,WD在3D NAND闪存技术的演讲中间接印证了这种说法,演讲中展示的3D NAND闪存技术运用的是类似于三星TCAT的存储结构,而不是BiCS结构。

据半导体芯片研究公司TechInsights的说法,三星、海力士、东芝-WD联盟目前都使用了TCAT类似的存储单元技术来实现3D NAND闪存。目前,海力士方面还未官方对这一说法做出回应。(校对/holly)

编辑:西农落
责编: Aki

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